Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 3379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 22469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 42W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6645TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SJ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 6412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ | auf Bestellung 5058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | auf Bestellung 33521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6645TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646 | Infineon / IR | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V | auf Bestellung 4840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 29168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 75862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 13281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 4304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC | auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 29168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6646TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 4304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648 | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC | auf Bestellung 23252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 3468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V | auf Bestellung 19647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 17090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF Produktcode: 167334
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 3332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 5011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6648TRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF6648TRPBF | auf Bestellung 3715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R | auf Bestellung 8617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6655TR1 | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6655TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6655TR1PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6655TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6655TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH | auf Bestellung 3241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6655TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6655TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6662TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6662TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6662TRPBF | International Rectifier | Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | auf Bestellung 8018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF Produktcode: 87232
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF6662TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ | auf Bestellung 3688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 10852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6662TRPBF | Infineon | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6662TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 10852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6662TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665 | IRF6665 Транзисторы HEXFRED | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6665 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tube Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665 | Infineon Technologies | MOSFETs DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1 | IRF6665TR1 Транзисторы HEXFRED | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | IOR | 2006 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | International Rectifier | N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 633870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio | auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 458-462 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 42W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 5752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TR1 | Infineon / IR | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 7461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 55A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC | auf Bestellung 7254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |