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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 16A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024ZPBFIR07+
auf Bestellung 55650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110ATUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110ATUFSCMIX06
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.45 EUR
72+1.19 EUR
77+1.11 EUR
82+1.05 EUR
87+0.99 EUR
91+0.94 EUR
150+0.87 EUR
1050+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 7280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.56 EUR
150+1.42 EUR
1050+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
auf Bestellung 5497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.77 EUR
100+1.59 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
123+1.38 EUR
150+1.13 EUR
525+0.98 EUR
1050+0.93 EUR
2025+0.88 EUR
5025+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
75+1.77 EUR
150+1.59 EUR
525+1.33 EUR
1050+1.23 EUR
2025+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120ATU
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NInternational RectifierN-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF
Produktcode: 48939
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Montage: THT
ZCODE: 8542 31 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBFInternational RectifierI-Pak Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
285+0.81 EUR
286+0.75 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120PBFVISHAY
auf Bestellung 14100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU130ATU
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU210ATUonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU230ATUonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 22A 45mOhm 10nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2705Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2705PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905
Produktcode: 189658
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
JSMicroTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/11
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905HRInfineon TechnologiesDescription: IRLU2905HR
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBF
Produktcode: 184659
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemiTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/46
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 78 St.
  • 78 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.51 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBF
Produktcode: 45467
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 105 St.
  • 105 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.52 EUR
10+1.36 EUR
100+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905Z
Produktcode: 182753
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU2905ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.67 EUR
116+1.46 EUR
137+1.2 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, 55V, 42A, I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU2908
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3105
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3105PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZInternational RectifierN-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+4.38 EUR
83+2.09 EUR
100+1.87 EUR
200+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBF
Produktcode: 32113
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.83 EUR
10+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3110ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLU3110ZPBF
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3114ZInternational RectifierN-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3114ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3114ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0039 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3114ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3114ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410International RectifierN-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 3644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
130+1.8 EUR
145+1.49 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.75 EUR
239+0.73 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.56 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
75+1.31 EUR
150+1.17 EUR
525+0.98 EUR
1050+0.89 EUR
2025+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 5344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+1.61 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.07 EUR
75+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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115+1.54 EUR
235+0.73 EUR
238+0.69 EUR
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1000+0.6 EUR
2500+0.5 EUR
12000+0.48 EUR
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IRLU3636-701TRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Packaging: Tube
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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237+2.8 EUR
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
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2+3.2 EUR
10+3.17 EUR
100+2.81 EUR
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1000+2.28 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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66+2.69 EUR
81+2.11 EUR
90+1.83 EUR
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500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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116+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRLU3636PBFInternational RectifierDescription: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.23 EUR
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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81+2.15 EUR
90+1.9 EUR
100+1.84 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLU3636PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRLU3636PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.64 EUR
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