Produkte > DMN

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN8652LSI06+;
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8652BOLSI
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8802-BC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8802BOLSILOGIC
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H2D2HCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
10+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTIDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: >800V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.23 EUR
50+1.88 EUR
100+1.61 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H2D2HCTIDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: >800V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+3.58 EUR
100+2.83 EUR
250+2.62 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
10+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: >800V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.07 EUR
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-285-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-285FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-285FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-288-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-288FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-288FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-485FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-488-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-488FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Contact Material: Electrolytic Copper
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 18-22 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Red
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-488FIB-MPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.878" (22.30mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIM-2KPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIM-LPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIMX-2KPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-24AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63M-CPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-288-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-288-CPanduitQuick Disconnect Terminal 13-15AWG Blue F 18.8mm Tin
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.57 EUR
40+10.64 EUR
60+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-488-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-488FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-488FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-63-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-63FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.839" (21.30mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-63FIBX-2KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF6-63FIB-2KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF6-63M-LPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNFR1485FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNFR163FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNFR263FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Part Status: Obsolete
Contact Material: Electrolytic Copper
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Terminal Type: Angled - 90°
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle
Color: Blue
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNG1-63FL-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+3.12 EUR
100+2.44 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
5000+1.04 EUR
12500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.42 EUR
2500+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.73 EUR
100+1.93 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 7420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
11+2.03 EUR
100+1.58 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.18 EUR
100+1.69 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+3.22 EUR
100+2.57 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.75 EUR
5000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
135+1.73 EUR
187+1.14 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
135+1.73 EUR
187+1.14 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+2.05 EUR
100+1.59 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.87 EUR
293+0.8 EUR
299+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH3010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 175c N-Ch Enh FET 30V 9.5mOhm 10V 55A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4004SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4004SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2846 pF @ 20 V
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
50+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3 EUR
100+2.59 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTQDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTQDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SCTQDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.75 EUR
100+2.7 EUR
250+2.68 EUR
500+2.67 EUR
2500+2.64 EUR
10000+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4005SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.48 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40V 20Vgss 175c 90A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.07 EUR
100+1.45 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
10+2.25 EUR
100+1.75 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4006SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.3 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4011SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4011SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET ENH MOS FET 41V 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4011SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
100+2.73 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4011SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.67 EUR
1000+1.33 EUR
2500+0.98 EUR
10000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4011SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47  [ Nächste Seite >> ]