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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N2222A LEADams OSRAMBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A LFams OSRAMBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
27+3.18 EUR
30+2.86 EUR
35+2.43 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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2N2222A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2222A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 22074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.16 EUR
100+2.89 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.03 EUR
6000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N2222A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
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2N2222A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 22195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+3.88 EUR
100+2.83 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
2000+1.98 EUR
4000+1.95 EUR
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2N2222A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 800MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-18
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2222A TIN/LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
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2N2222A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+4.66 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.73 EUR
4000+2.34 EUR
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2N2222A-DIODiotec2N2222A-DIO 2N2222A Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Транзистори
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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2N2222A-JANMOT99+ TSOP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2222A-JQRSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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2N2222A-N2TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL
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2N2222A-N2-XTT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222A-PL
Produktcode: 53400
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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2N2222A-QR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222A-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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2N2222A/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2222A/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N2222ACSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin CLLCC-1
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2N2222ACSM-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM-BSemelab (TT electronics)Silicon Switching NPN Transistor
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2N2222ACSM-JQR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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2N2222ACSM-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin CLLCC-1
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2N2222ACSM-N1TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM-N1-XTT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM-N2TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM-N2-XTT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin CLLCC-1
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2N2222ACSM-QR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM-QR-EBSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin CLLCC-1
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2222ACSM-QR-EBSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ACSM4Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 4-Pin CLLCC-3
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2222ACSM4Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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2N2222ADCSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 6-Pin CLLCC-2
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2222ADCSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ADCSM-N2TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ADCSM-N2-XTT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222ADCSM-QR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2222ADCSM-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 6-Pin CLLCC-2
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2222ADCSM-QR-EBSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 6-Pin CLLCC-2
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2222ADCSM-QR-EBSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222AE3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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2N2222AE3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
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2N2222AE3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N2222AE3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.27 EUR
100+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N2222AE3 von Microchip Technology
Produktcode: 216849
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N2222Ae3/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2222AE4Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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2N2222AE4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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2N2222AE4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
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2N2222Ae4/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2222AHRSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Resistant NPN Bipolar Transistor 40V - 0.8A
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2N2222AJANTXMICROSEMITO-18/ NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N2222ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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2N2222ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2222AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222APMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222APMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ASWSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AT1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2222AUATT ElectronicsNPN, Uкэ=50V(max) , Iк=0.6A (0.8 имп.), 0.5Вт, SMD, CLCC-4 Транзистори
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2N2222AUATT Electronics/Optek TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.37 EUR
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2N2222AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.83 EUR
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2N2222AUAOptek Technology (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin CSMD Waffle
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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2N2222AUAMICROSEMINPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.74 EUR
100+46.21 EUR
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2N2222AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2222AUAOptek / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUA/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUAJANSRMicrosemiTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UA Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUATXTT Electronics/Optek TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 4CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: 4-CLCC (5.59x3.81)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUATXOptek / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT G.P.TRANSISTOR SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AUATXVTT Electronics/Optek TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 4CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: 4-CLCC (5.59x3.81)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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2N2222AUATXVOptek / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT G.P.TRANSISTOR SMT
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2N2222AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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2N2222AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 5682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.6 EUR
100+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N2222AUBOptek Technology (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+94.91 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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2N2222AUBMicrosemiSMD, 3-pin Транзистори
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2N2222AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+10.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2222AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
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 Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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2N2222AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.35 EUR
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2N2222AUBOptek Technology (TT electronics)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
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2N2222AUBMICROSEMITO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2222AUBTT Electronics/Optek TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
auf Bestellung 1066 Stücke:
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1+63.82 EUR
100+58.9 EUR
250+56.66 EUR
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2N2222AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
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2N2222AUBOptek / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.75 EUR
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2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
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 Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.7 EUR
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2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB T/R
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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2N2222AUB1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N2222AUB1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.75 EUR
10+166.2 EUR
100+141.21 EUR
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2N2222AUB1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N2222AUB1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 8 Stücke:
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1+180.14 EUR
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