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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HUF75639S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 5257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
180+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3HARRISHUF75639S3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 20230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
auf Bestellung 17755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
10000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 33191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ST
Produktcode: 163634
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.62 EUR
75+2.26 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STonsemi / FairchildMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+4.06 EUR
100+2.83 EUR
500+2.81 EUR
800+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 96165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.62 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STonsemiMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
auf Bestellung 5336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+4.52 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
800+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.59 EUR
39+4.33 EUR
100+2.92 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 200W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 25mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
160+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STONS/FAIMOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3STNLFairchild SemiconductorDescription: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 36800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ST_QONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 36800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ST_QON SemiconductorHUF75639S3ST_Q
auf Bestellung 36800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.39 EUR
10000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3S_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+3 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3_NLON SemiconductorHUF75639S3_NL
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
167+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3_NLON SemiconductorHUF75639S3_NL
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF7563P3TO-220
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
auf Bestellung 26207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
50+3.72 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.39 EUR
54+3.2 EUR
64+2.65 EUR
100+2.37 EUR
250+2.2 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+3.12 EUR
100+2.89 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
100+2.3 EUR
250+2.08 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3
Produktcode: 56156
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
54+3.12 EUR
64+2.55 EUR
100+2.24 EUR
250+2.02 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3-SB82282onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3_Qonsemi / FairchildMOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
375+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
auf Bestellung 12652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+4.61 EUR
25+4.57 EUR
100+3.81 EUR
250+3.8 EUR
500+3.56 EUR
800+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.67 EUR
1600+3.14 EUR
2400+2.95 EUR
5600+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
43+5.4 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.18 EUR
40+4.24 EUR
52+3.13 EUR
100+2.75 EUR
250+2.27 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+5.09 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3ST_QONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645S3S_NL
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.04 EUR
25+9.5 EUR
50+8.98 EUR
100+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 475nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 515W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.68 EUR
10+10.53 EUR
120+10.09 EUR
2520+9.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.82 EUR
19+9.47 EUR
25+9.1 EUR
50+8.76 EUR
100+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20 EUR
30+11.9 EUR
120+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3onsemiMOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.21 EUR
10+10.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3ONS/FAIMOSFET N-CH Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75823D3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75823D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75829D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75829D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
465+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75829D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75829D3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75829D3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75831SK8TFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75831SK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842P3onsemi / FairchildMOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+8.52 EUR
100+6.97 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.4 EUR
2500+5.28 EUR
5000+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
auf Bestellung 4636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75842S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75852G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+29.29 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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HUF75852G3
Produktcode: 160801
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FairTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7690/400
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+23.11 EUR
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HUF75852G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
37+17.33 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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HUF75852G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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HUF75852G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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HUF75852G3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.54 EUR
10+17.64 EUR
120+14.49 EUR
510+14.45 EUR
1020+14.43 EUR
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HUF75852G3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
37+17.33 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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HUF75852G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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HUF75925D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUF75925D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 902 Stücke
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