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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT02E16-26PCF6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT02E16-26PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PF6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PF8GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PWGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PWF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PXF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02E16-26PZGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02EFK14-19SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP14-15P/SGlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1170.1 EUR
2+1050.91 EUR
5+911.81 EUR
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IPT02PP22-55P/SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP22-55P/SF11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP22-55P/SF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP22-55P/SXGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP22-55P/SYGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP22-55P/SZGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02PP22-55PSF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02QC12-A6PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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IPT02QC12-A6PCGA76GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPT02QC12-A6PGU01GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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IPT02Y20-41PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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IPT02Y20-41PXGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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IPT02Y210-7SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02YK14-19SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02YK22-41PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT02YL10-6SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT02YL10-7SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT02YL12-10SWGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT02YL14-19PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT02YLFK14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT02YS14-19SF2GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1InfineonN-Channel 120 V 24A (Ta), 237A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.93 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+7.75 EUR
25+7.14 EUR
100+5.62 EUR
250+5.59 EUR
1000+5.46 EUR
2000+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
auf Bestellung 4868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
10+7.91 EUR
100+5.72 EUR
500+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 237A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 237A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT030N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.59 EUR
32+7.33 EUR
100+4.93 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+6.47 EUR
100+4.61 EUR
500+4.11 EUR
2000+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
32+7.4 EUR
100+5.51 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.49 EUR
46+3.53 EUR
100+2.88 EUR
250+2.75 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.51 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.49 EUR
46+3.67 EUR
100+3.03 EUR
250+2.98 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.13 EUR
10+6.07 EUR
100+4.33 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.81 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.69 EUR
10+7.83 EUR
100+5.63 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
26+9.09 EUR
100+6.81 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
auf Bestellung 3871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.63 EUR
10+8.5 EUR
100+6.15 EUR
500+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT039N15N5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT03YQC12-A6PF7N405GlenairStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT043N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+6.97 EUR
100+5.13 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.51 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.13 EUR
10+8.14 EUR
100+5.88 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.38 EUR
50+8.28 EUR
100+5.51 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.65 EUR
25+4.25 EUR
100+3.83 EUR
250+3.64 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.37 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.2 EUR
41+5.74 EUR
100+4.37 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.45 EUR
31+7.68 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 143A; 250W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 143A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 69nC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+7.5 EUR
100+5.43 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.52 EUR
2000+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
10+7.98 EUR
100+5.76 EUR
500+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.71 EUR
25+15.71 EUR
50+14.74 EUR
100+13.91 EUR
250+13.28 EUR
500+12.71 EUR
1000+12.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+7.16 EUR
100+5.81 EUR
500+5.15 EUR
1000+4.88 EUR
2000+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3Infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.78 EUR
10+7.2 EUR
100+5.18 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.87 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 69nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.85 EUR
26+6.85 EUR
100+5.15 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.45 EUR
25+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 155А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.02 EUR
26+6.51 EUR
100+4.91 EUR
500+4.39 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
30+7.75 EUR
100+5.68 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.81 EUR
500+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 41049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.81 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.15 EUR
10000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+6.94 EUR
100+5.49 EUR
500+5.18 EUR
1000+4.44 EUR
2000+4.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.52 EUR
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.99 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.39 EUR
10+6.53 EUR
100+4.76 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.8 EUR
2000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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