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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.44 EUR
41+4.18 EUR
100+3.25 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.77 EUR
2000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.62 EUR
42+4.09 EUR
100+3.81 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
10+6.85 EUR
50+5.38 EUR
100+4.9 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.08 EUR
33+5.02 EUR
100+4.46 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
41+4.07 EUR
100+3.71 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 11172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+5.78 EUR
100+4.77 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.05 EUR
2000+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.77 EUR
50+6.38 EUR
100+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.99 EUR
50+10.58 EUR
100+7.84 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N13NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 8644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+9.17 EUR
100+6.68 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.99 EUR
50+10.58 EUR
100+7.84 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.78 EUR
10+9.31 EUR
50+7.39 EUR
100+6.77 EUR
500+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0218-RJ45-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+991.4 EUR
2+891.5 EUR
5+763.41 EUR
10+435.49 EUR
25+392.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0218-RJ45-1F7GLENAIRDescription: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
Magnetics: Ohne Magnetics
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
isCanonical: Y
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: IPT
productTraceability: No
LAN-Kategorie: Cat6
usEccn: EAR99
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0218-USBA-1F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+4.4 EUR
100+3.97 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
33+7.24 EUR
100+4.99 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.99 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT022N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.68 EUR
10+5.72 EUR
50+4.45 EUR
100+4.05 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.33 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.16 EUR
50+6.45 EUR
100+5.89 EUR
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
36+6.57 EUR
100+4.33 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT023N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+7.96 EUR
100+5.74 EUR
500+5.4 EUR
1000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6Infineon Technologies IFX FET >100-150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.52 EUR
19+12.28 EUR
100+8.31 EUR
500+8.03 EUR
1000+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.53 EUR
10+9.1 EUR
50+7.2 EUR
100+6.59 EUR
500+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.52 EUR
19+12.28 EUR
100+8.31 EUR
500+8.03 EUR
1000+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.65 EUR
10+8.48 EUR
100+6.51 EUR
500+6.43 EUR
1000+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.42 EUR
37+6.31 EUR
100+4.95 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.99 EUR
39+4.43 EUR
100+3.39 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 4914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+5.55 EUR
100+4.3 EUR
500+3.94 EUR
2000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 3021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
10+6.97 EUR
50+5.47 EUR
100+4.99 EUR
500+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.22 EUR
38+4.47 EUR
100+3.38 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+8.13 EUR
100+5.87 EUR
500+5.46 EUR
1000+5.18 EUR
2000+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT026N12NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
32+7.43 EUR
100+4.9 EUR
500+4.39 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.9 EUR
500+4.39 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT026N12NM6ATMA1
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.29 EUR
10+8.25 EUR
50+6.51 EUR
100+5.96 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.58 EUR
33+5.22 EUR
100+3.83 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.25 EUR
2000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.33 EUR
500+4.47 EUR
1000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS 5Power-Transistor,80V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.84 EUR
32+5.28 EUR
100+3.81 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.09 EUR
2000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.71 EUR
25+5.7 EUR
100+4.06 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT029N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
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IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPT02A8-4PF7GlenairCircular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC
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