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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.64 EUR
103+1.38 EUR
130+1.05 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.01 EUR
179+0.79 EUR
199+0.69 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.23 EUR
110+1.32 EUR
136+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
686+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ES
Produktcode: 99459
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 60
Idd,A: 79
Rds(on), Ohm: 7.1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.13 EUR
10+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESLInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF
Produktcode: 203741
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.02 EUR
100+1.44 EUR
500+1.39 EUR
800+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.74 EUR
56+2.58 EUR
58+2.44 EUR
60+2.32 EUR
100+1.49 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1059MSIOR2007
auf Bestellung 6265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1059MSPBFIOR2007
auf Bestellung 7481 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1059TRPBFIOR2006
auf Bestellung 9745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF
Produktcode: 28062
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 100
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
auf Bestellung 5911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.8 EUR
100+1.59 EUR
250+1.58 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineonMOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 8228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.68 EUR
50+1.82 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF110JIR00+ TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF11N50IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF11N50APBF
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF120HARRISIRF120
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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IRF120IR/MOT
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF120International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF120Infineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF121IR/MOT
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
312+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
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IRF122IR/MOT
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
341+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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IRF123IR/MOT
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
442+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF12543G1IOR01+
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1282IOR02+ SMD-8
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1282TRPBFIR09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF130IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF130Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1302HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1302SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
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IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
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IRF131IR/MOT
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1310IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1310N
Produktcode: 26596
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1310N; SP001553864; IRF1310N-ML MOSLEADER TIRF1310 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.82 EUR
50+1.87 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.39 EUR
107+1.32 EUR
114+1.2 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.69 EUR
88+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+1.79 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
686+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.01 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBF
Produktcode: 34256
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
auf Bestellung 167 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
auf Bestellung 8701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.16 EUR
107+1.32 EUR
143+0.95 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSPBF
Produktcode: 150473
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 170100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.17 EUR
112+1.29 EUR
800+1.23 EUR
1600+1.19 EUR
2400+1.16 EUR
4000+1.1 EUR
5600+1.05 EUR
8000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
auf Bestellung 6459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.96 EUR
100+2.02 EUR
500+1.54 EUR
800+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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