Produkte > MJE

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJE172GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 3A TO126 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 5323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.26 EUR
209+0.82 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
auf Bestellung 6354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.5 EUR
642+0.26 EUR
655+0.25 EUR
673+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
7500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
148+1.58 EUR
220+0.98 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172MJE182
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172STU
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 4338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180ON0305
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180On SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+2.62 EUR
100+2.32 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
50+2.89 EUR
100+2.61 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
841+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 841 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.67 EUR
1053+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.67 EUR
1053+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002D2MotorolaMJE18002D2
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
443+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
781+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 65841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
420+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+1.86 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
50+1.89 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GON-SemiconductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006
Produktcode: 77960
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 450 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 14MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 12824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006G
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 14MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008
Produktcode: 77961
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 13 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 450 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.71 EUR
10+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
71+3.3 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
50+2.89 EUR
100+2.61 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.96 EUR
2000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
100+2.43 EUR
250+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GOn SemiconductorTO220AB (аналог 2SC4242) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.63 EUR
250+3.33 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON-SemiconductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.86 EUR
81+2.07 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
100+2.37 EUR
250+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE1800B
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
123+1.89 EUR
176+1.21 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180G
Produktcode: 161612
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180PWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
128+1.32 EUR
209+0.77 EUR
239+0.65 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
1920+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1920+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1920 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 5159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.86 EUR
100+0.77 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Nächste Seite >> ]