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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDG
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
148+1.58 EUR
213+1.01 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2G
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 3475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
auf Bestellung 11707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.63 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
148+1.58 EUR
213+1.01 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.48 EUR
418+0.4 EUR
489+0.33 EUR
549+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 368 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
489+0.36 EUR
549+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.34 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.33 EUR
8000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40301UT001
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+1.34 EUR
540+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
101+2.31 EUR
150+1.43 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 88233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
100+1.88 EUR
200+1.68 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.2 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
auf Bestellung 8152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2500+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.82 EUR
7500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NSS40302PDR2GONN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.93 EUR
101+2.31 EUR
150+1.43 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40400CF8T1G
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1603+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS40500UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 36300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40500UW3T2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS40500UW3T2G
auf Bestellung 6998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Frequency: 150MHz
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 150MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.06 EUR
185+0.9 EUR
250+0.88 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.17 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
auf Bestellung 258088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
582+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.13 EUR
162+1 EUR
185+0.84 EUR
250+0.81 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.86 EUR
100+1.45 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.81 EUR
24000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.81 EUR
100+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
9000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS43400MZ4T3G
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS4532-200-F
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS504-012N-CAEG1T??
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS504-012N-CFED1B
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS5E472J
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1473+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
20+1.07 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1473+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.62 EUR
100+1 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
23+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2700 Stücke:
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1473+0.44 EUR
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NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
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NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
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NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
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NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
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NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39414 Stücke:
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1GOn SemiconductorTRANS PNP 60V 2A SOT-23 Транзистори
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
auf Bestellung 42339 Stücke:
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500+0.3 EUR
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NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
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15000+0.19 EUR
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1G
Produktcode: 121380
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15630 Stücke:
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251+1 EUR
388+0.6 EUR
519+0.42 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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NSS60200SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
auf Bestellung 3899 Stücke:
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1655+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1655 Stücke
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NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
26+0.82 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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