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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN1104,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1142+0.2 EUR
1849+0.12 EUR
2539+0.084 EUR
2850+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 8457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
auf Bestellung 9320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.052 EUR
24000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1142+0.2 EUR
1849+0.12 EUR
2539+0.084 EUR
2850+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
40+0.54 EUR
100+0.3 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 11616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104/XDTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104FTOS10 SOT-523
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104FSTOSHIBASOT-723
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104FSTPL3
auf Bestellung 11227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104FTTOSHIBA10+ SOT-723
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFU(TP3)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFVTOSHIBASOT23
auf Bestellung 13598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
auf Bestellung 7889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshibaDigital Transistors 150mW TRANSISTOR
auf Bestellung 32664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
22+0.15 EUR
100+0.069 EUR
1000+0.057 EUR
2500+0.055 EUR
8000+0.05 EUR
24000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CBToshibaRN1104MFV,L3F(CB
auf Bestellung 4378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1368+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1368 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 817222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1154+0.2 EUR
1938+0.11 EUR
2942+0.073 EUR
3718+0.057 EUR
5000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT723 50V
auf Bestellung 14962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
22+0.15 EUR
100+0.069 EUR
1000+0.057 EUR
8000+0.039 EUR
24000+0.036 EUR
48000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3732+0.046 EUR
3760+0.045 EUR
8000+0.04 EUR
16000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3732 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 817222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1154+0.2 EUR
1938+0.11 EUR
2942+0.073 EUR
3718+0.057 EUR
5000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.32 EUR
107+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.092 EUR
16000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 15827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.09 EUR
8000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104SOT416-XDTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104T5L(XD)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104T5LFTToshibaDigital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104TE85L
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104TE85L(XD)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105TOS
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN SSM
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105,LF(CBToshibaRN1105,LF(CB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1954+0.089 EUR
2500+0.084 EUR
5000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1954 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105,LF(CBToshibaRN1105,LF(CB
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
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 Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 6339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
11+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 7 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
625+0.37 EUR
1006+0.21 EUR
1452+0.14 EUR
1774+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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RN1105,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1105,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
625+0.37 EUR
1006+0.21 EUR
1452+0.14 EUR
1774+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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RN1105,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1105,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RN1105/TE85RTOSHIBASOT-523 03+
auf Bestellung 15000 Stücke:
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RN1105/XE
auf Bestellung 33000 Stücke:
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RN1105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9997 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105FTOSHIBASOT23
auf Bestellung 3500 Stücke:
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RN1105FSL4
auf Bestellung 10000 Stücke:
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RN1105FT
auf Bestellung 3035 Stücke:
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RN1105MFV
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
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RN1105MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
auf Bestellung 9366 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
auf Bestellung 9366 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3509+0.061 EUR
4000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.055 EUR
16000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2733+0.063 EUR
2933+0.058 EUR
2942+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 2733 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 2.2kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
auf Bestellung 14889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
22+0.15 EUR
100+0.069 EUR
1000+0.057 EUR
8000+0.039 EUR
24000+0.036 EUR
48000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3509+0.061 EUR
4000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
auf Bestellung 5308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.061 EUR
3116+0.055 EUR
3125+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
88+0.24 EUR
163+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 5517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
11+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
35+0.6 EUR
100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105TE85L
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105TE85L(XE)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106T
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106,LFToshibaDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106,LF(CBToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
85+0.25 EUR
136+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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