Produkte > BUK
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BUK9Y09-40B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y09-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 105.3W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y09-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56 Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y104-100B | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y104-100B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 15891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y104-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y104-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y104-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y104-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y104-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y107-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y107-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y107-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y107-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y107-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y107-80EX | Nexperia | MOSFETs BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 2418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y107-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y107-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56 Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y11-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56 Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y11-30B,115 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y11-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y11-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y11-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y11-80EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 100 V, 113 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y11-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 84A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y113-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 86330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y113-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y113-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56 Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 1251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y113-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y113-100E115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK9Y113-100E 12A, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-100E | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y12-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y12-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V LFPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-55B | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-55B,115 | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-55B/C3X | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta) Power Dissipation (Max): 106W (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8 Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y12-80E,115 | Nexperia | MOSFET BUK9Y12-80E/LFPAK/REEL 7" Q1/T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y13-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y13-60ELX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 60V 90A | auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y13-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 147W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y13-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y13-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y14-40B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 77 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-80E | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y14-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-80E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y14-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y14-80E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 10731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 69A | auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y15-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y15-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0147 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 69 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 euEccn: NLR Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 7526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y15-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y153-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 7782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y153-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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