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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9Q45-80LJNexperiaMOSFETs BUK9Q45-80L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperiaMOSFETs BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.27 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q4R6-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q50-100LJNexperiaMOSFETs BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q50-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
50+0.77 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q50-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
115+2.02 EUR
185+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Q7R0-40HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Q7R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62 A, 7000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
115+2.02 EUR
185+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9R4R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9R4R5-40HJNexperia USA Inc.Description: BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9R4R5-40HJNexperiaMOSFETs BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNXPTransistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.01135 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 42
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperiaMOSFETs BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 4022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+2.01 EUR
100+1.52 EUR
500+1.24 EUR
1500+0.96 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
99+2.37 EUR
136+1.58 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y07-30B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+2.03 EUR
100+1.58 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y07-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y07-30B115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y07-30B - POWER
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y09-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105.3W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 53A; Idm: 300A; 105.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 105.3W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
50+1.58 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
1500+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115
Produktcode: 144565
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NexperiaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-669
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0069 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/30
Montage: SMD
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+6.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 15891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.52 EUR
10+1.31 EUR
100+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1500+0.63 EUR
3000+0.56 EUR
9000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y104-100B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.6 EUR
4500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperiaMOSFETs BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
1500+0.48 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.06 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
171+1.36 EUR
243+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-30B,115NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-80EXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 113 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.34 EUR
100+1.81 EUR
500+1.56 EUR
1500+1.44 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y11-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y113-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y113-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y113-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 85938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+0.96 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.52 EUR
1500+0.49 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y113-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y113-100E115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y113-100E 12A,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100ENexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.44 EUR
1500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.27 EUR
61+3.83 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.46 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.46 EUR
3000+1.37 EUR
4500+1.31 EUR
7500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.44 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115NexperiaMOSFET N-CH 40V LFPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
160+1.06 EUR
226+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.43 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
1500+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.26 EUR
158+1.05 EUR
160+1 EUR
226+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-55BNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK9Y12-55B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+2.2 EUR
100+1.69 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-55B/C3XNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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BUK9Y12-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y12-80E,115NexperiaMOSFET BUK9Y12-80E/LFPAK/REEL 7" Q1/T
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BUK9Y13-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.54 EUR
46+5.11 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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BUK9Y13-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 90A
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.95 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y13-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
10+2.53 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y13-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y13-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.8 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-80ENexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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