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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7134TR04+ SOP
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7136TR
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7169IOR09+
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7171MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720SiliconixN-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720Vishay(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 12045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.46 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720
Produktcode: 3059
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.56 EUR
    10+0.52 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF720SiliconixN-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 170 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    30+1.25 EUR
    Mindestbestellmenge: 30 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF720onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
    auf Bestellung 12045 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    790+0.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 790 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF720ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    rohsCompliant: YES
    euEccn: NLR
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    usEccn: EAR99
    SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    auf Bestellung 12045 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF720(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201AIR09+
    auf Bestellung 44 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201PBF
    Produktcode: 24055
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30
    Idd,A: 07.03.2015
    Rds(on), Ohm: 01.03.2000
    Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
    JHGF: SMD
    auf Bestellung 67 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    1+0.36 EUR
    10+0.34 EUR
    100+0.24 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201PBFInternational RectifierMOSFET N-CH, 30V, 7.3A, SO-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: No
    rohsCompliant: YES
    euEccn: NLR
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    usEccn: EAR99
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    auf Bestellung 71 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
    auf Bestellung 35 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRimportTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
    Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
    auf Bestellung 25 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.11 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
    auf Bestellung 5 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1+15.56 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
    SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    auf Bestellung 39 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 10 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBF
    Produktcode: 42753
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30 V
    Idd,A: 7,3 A
    Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
    JHGF: SMD
    auf Bestellung 2995 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30V
    Drain current: 7A
    Power dissipation: 2.5W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
    SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    auf Bestellung 39 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC N
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1137+0.48 EUR
    Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR <=40V
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7202IR09+
    auf Bestellung 35 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7202TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.5W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7203IR09+
    auf Bestellung 48 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRF7203Infineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7203TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7204
    Produktcode: 25811
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    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 20
    Id,A: 5.3
    Rds(on),Om: 0.060
    /: SMD
    verfügbar: 12 St.
      1+0.7 EUR
      10+0.57 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TEC
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 150 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+0.6 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
      Packaging: Tube
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204IRSO-8
      auf Bestellung 42000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
      verfügbar 3 Stücke:
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
      Packaging: Tube
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204PBF
      Produktcode: 51827
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      		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
      Part Status: Obsolete
      Supplier Device Package: 8-SOIC
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
      FET Type: P-Channel
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Mounting Type: Surface Mount
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Vgs (Max): ±20V
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
      Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7204TRPBF - IRF7204 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
      tariffCode: 85412900
      productTraceability: No
      rohsCompliant: YES
      euEccn: NLR
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: TBA
      usEccn: EAR99
      SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
      auf Bestellung 758 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 758 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TRPBFInternational RectifierТранзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7204TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC
      auf Bestellung 6009 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      2+1.94 EUR
      10+1.71 EUR
      100+1.31 EUR
      500+1.04 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205IRF7205 Транзисторы HEXFET
      auf Bestellung 106 Stücke:
      Lieferzeit 7-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
      verfügbar 88 Stücke:
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205PBF
      Produktcode: 40541
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
      Packaging: Tube
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Discontinued at Digi-Key
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: STS4DPF30L; IRF7205; IRF7205TR; IRF7205-GURT; IRF7205TR TIRF7205
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 1193 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+0.84 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 150 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+0.6 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SOIC
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      3000+0.38 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 300 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      100+0.45 EUR
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
      auf Bestellung 19458 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      2+2.32 EUR
      10+1.43 EUR
      100+0.95 EUR
      500+0.74 EUR
      1000+0.63 EUR
      2000+0.58 EUR
      4000+0.51 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBF
      Produktcode: 205318
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
      auf Bestellung 45900 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      4000+0.54 EUR
      8000+0.5 EUR
      12000+0.48 EUR
      20000+0.46 EUR
      28000+0.45 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
      auf Bestellung 12000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      4000+0.42 EUR
      8000+0.4 EUR
      12000+0.38 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
      Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
      Type of transistor: P-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: -30V
      Drain current: -4.6A
      Power dissipation: 2.5W
      Case: SO8
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel
      Kind of channel: enhancement
      Technology: HEXFET®
      auf Bestellung 1703 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      73+0.99 EUR
      98+0.73 EUR
      133+0.54 EUR
      150+0.48 EUR
      250+0.42 EUR
      500+0.38 EUR
      1000+0.34 EUR
      Mindestbestellmenge: 73 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
      auf Bestellung 32 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
      auf Bestellung 1 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
      auf Bestellung 46639 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      8+2.22 EUR
      13+1.39 EUR
      100+0.91 EUR
      500+0.71 EUR
      1000+0.64 EUR
      2000+0.59 EUR
      Mindestbestellmenge: 8 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
      auf Bestellung 12000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      4000+0.42 EUR
      8000+0.41 EUR
      12000+0.4 EUR
      Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7205TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
      tariffCode: 85412900
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      rohsCompliant: YES
      euEccn: NLR
      isCanonical: Y
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      usEccn: EAR99
      auf Bestellung 5008 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
      Packaging: Tube
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207International RectifierТранзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207IRSO-8
      auf Bestellung 42000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
      Packaging: Tube
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207TRIR
      auf Bestellung 108000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7207TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: P-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
      Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
      Supplier Device Package: 8-SO
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
      Vgs (Max): ±12V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A I2PAK
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: I2PAK
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-262-3
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 1330 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      107+1.37 EUR
      108+1.34 EUR
      121+1.17 EUR
      500+0.72 EUR
      1000+0.67 EUR
      Mindestbestellmenge: 107 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
      auf Bestellung 1298 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+2.83 EUR
      10+1.36 EUR
      100+1.2 EUR
      500+0.85 EUR
      1000+0.77 EUR
      5000+0.74 EUR
      10000+0.71 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBF
      Produktcode: 164162
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Uds,V: 400 V
      Idd,A: 3,3 A
      Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
      Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
      JHGF: THT
      auf Bestellung 21 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 192 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      124+1.18 EUR
      134+1.08 EUR
      Mindestbestellmenge: 124 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 400V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 3A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 40W
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      Kanaltyp: n-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
      SVHC: Lead (21-Jan-2025)
      auf Bestellung 1232 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 1330 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      108+1.36 EUR
      109+1.3 EUR
      122+1.12 EUR
      500+0.68 EUR
      1000+0.61 EUR
      Mindestbestellmenge: 108 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishayMOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB Транзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBF
      Produktcode: 22638
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IRTransistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Uds,V: 400
      Idd,A: 03.03.2015
      Rds(on), Ohm: 01.08.2015
      JHGF: THT
      ZCODE: 8541290090
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 1893 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      255+0.57 EUR
      Mindestbestellmenge: 255 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
      Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
      auf Bestellung 368 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+4.15 EUR
      50+2.03 EUR
      100+1.83 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 250 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      114+1.29 EUR
      115+1.26 EUR
      127+1.12 EUR
      Mindestbestellmenge: 114 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF720PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 400V
      Drain current: 2.1A
      Pulsed drain current: 13A
      Power dissipation: 50W
      Case: TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 1.8Ω
      Mounting: THT
      Gate charge: 20nC
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 192 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      56+1.29 EUR
      71+1.01 EUR
      85+0.85 EUR
      100+0.79 EUR
      Mindestbestellmenge: 56 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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