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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9Y14-80E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
12+1.76 EUR
100+1.26 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.31 EUR
100+1.63 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115NexperiaMOSFETs SOT669 100V 69A
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.39 EUR
100+1.67 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.12 EUR
1500+1.08 EUR
3000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y15-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0147 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 69
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.94 EUR
207+0.81 EUR
250+0.79 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.69 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.79 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.04 EUR
181+0.88 EUR
207+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y15-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
4500+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.27 EUR
213+1.09 EUR
323+0.67 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1904+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1904 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y153-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
50+1.49 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 38295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 26971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
1500+0.82 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9Y19-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BUK9Y19-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9Y19-55BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
10000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
auf Bestellung 13109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
73+3.2 EUR
85+2.52 EUR
200+1.82 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 110696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NexperiaMOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
118+1.44 EUR
169+0.99 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.64 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 85W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.43 EUR
86+1 EUR
96+0.89 EUR
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
118+1.4 EUR
169+0.95 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.6 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+0.65 EUR
4500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9Y19-55B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 40993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
auf Bestellung 13109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
200+1.82 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+0.67 EUR
4500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B,115 Transistor
Produktcode: 192495
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-669
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 32 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 16,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1494/18
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B/C2,115NexperiaBUK9Y19-55B/C2,115
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B/C2,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B/C6,115Nexperia USA Inc.Description: BUK9Y19-55B - N-CHANNEL TRENCHMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-55B/DSXNexperiaBUK9Y19-55B/DSX
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+2.21 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 34.1A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.14 EUR
54+1.59 EUR
60+1.43 EUR
100+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
72+3.25 EUR
115+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y19-75B/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.84 EUR
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 48.2A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y19-75B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1955B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R3-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R3-40HXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.37 EUR
100+2.28 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.56 EUR
1500+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R3-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.76 EUR
500+4.15 EUR
1500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R3-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R3-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+4.99 EUR
100+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R3-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
43+5.43 EUR
100+3.64 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R6-40H,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R6-40HXNexperiaMOSFET BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R6-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R6-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R6-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R9-40H,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R9-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R9-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R9-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R9-40HXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 21 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.73 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y1R9-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.38 EUR
78+2.13 EUR
80+2.01 EUR
100+1.8 EUR
250+1.68 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
127+1.83 EUR
192+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 6869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 824 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NXPTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E NEXPERIA TBUK9y21-40e
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.45 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 824 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y21-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.45 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y22-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y22-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y22-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
1500+0.74 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y22-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y22-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.79 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y22-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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