Produkte > BUK
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 60V 34A | auf Bestellung 11778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 256500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 255000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET | auf Bestellung 70343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 959 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia | MOSFET BUK9Y27-40B/SOT669/LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 959 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 37W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 37W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 14618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y29-40E/CX | NXP USA Inc. | Description: TRANS N-CH LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia | MOSFET BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y2R4-40HX - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V Verlustleistung: 172W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | MOSFET BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y2R8-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V Verlustleistung: 172W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y30-75B | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y30-75B/SOT669/LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B/C2,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3075B | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 5V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2541 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y38-100E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 2519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 5V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2541 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y38-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y38-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 94.9 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0302 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y3R0-40E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 10284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y3R0-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y3R0-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1980 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 194W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1980µohm | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y3R0-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y3R0-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1980 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 194W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1980µohm | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5137 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y3R5-40E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 1214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 591A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 591A Power dissipation: 167W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5137 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 167 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B | PHILIPS | SOT669 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 97500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 3503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y40-55B/C3,115 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y40-55B - N-CHANNEL TRENCHMO | auf Bestellung 28856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 498 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK9Y4055B | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A | auf Bestellung 39977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 24A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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