Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7311InfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.68 EUR
447+0.38 EUR
637+0.25 EUR
663+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311PB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311PBF_1
Produktcode: 22640
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 6,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.75 EUR
10+0.69 EUR
100+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRIRC07+;
auf Bestellung 184000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFChina replicaSOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFTECH PUBLICSOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFInternational RectifierSOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFTYSSOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBF
Produktcode: 107584
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.06 EUR
10+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313IOR09+ SO-8
auf Bestellung 44337 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0, Qg, нКл = 22 @ 5,8 A, Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBF
Produktcode: 122873
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 6,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.82 EUR
10+0.75 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313QTRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.29 EUR
183+0.92 EUR
207+0.79 EUR
500+0.58 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
113+0.76 EUR
140+0.61 EUR
250+0.57 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 24730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
50+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFIRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.55 EUR
12000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
157+1.09 EUR
204+0.82 EUR
229+0.71 EUR
500+0.56 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 232 St.
  • 232 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
10+0.81 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 7473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 13948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
50+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
144+1.62 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.51 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
144+1.62 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314International Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314
Produktcode: 11411
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 780/19
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBF
Produktcode: 36431
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 780/19
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
255+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBFInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314QIRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314STR
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRJSMicro SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 29mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR JSMICRO TIRF7314 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRInfineon2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+17.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFJSMSEMIСдвоенный HEXFET SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF
Produktcode: 54354
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 780/19
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 381 St.
  • 381 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
10+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFInternational RectifierСдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316
Produktcode: 3743
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/23
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 162 St.
  • 162 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.88 EUR
10+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.34 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 36 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7316PBF - IRF7316 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316PBF
Produktcode: 20388
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316QTRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRInfineon2xP-MOSFET 4.9A 30V 2W 0.058Ω IRF7316 smd TIRF7316
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Nächste Seite >> ]