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SI8465DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
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SI8465DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V
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SI8466EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
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SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 8, Id = 3,6, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 4, Qg, нКл = 13, Rds = 43 мОм, Ugs(th) = 0,7 В, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: UFBGA-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
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SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8466EDB-T2-E1
Produktcode: 209156
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI8466EDB-T2-E1VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Technology: TrenchFET®
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SI8466EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
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SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8466EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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SI8467DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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SI8469DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
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SI8469DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5037 Stücke:
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443+0.56 EUR
585+0.39 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
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SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
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10+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
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638+0.27 EUR
767+0.23 EUR
779+0.21 EUR
791+0.2 EUR
804+0.19 EUR
817+0.18 EUR
831+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 638 Stücke
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SI8472DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8472DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2196 Stücke:
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132+1.89 EUR
213+1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
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845+0.21 EUR
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SI8472DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 6297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
32+0.67 EUR
100+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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SI8472DB-T2-E1VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8473EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7.1A 2.7W 41mohm @ 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI8473EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
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SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
auf Bestellung 2750 Stücke:
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SI8475EDB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8475EDB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
auf Bestellung 2750 Stücke:
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Si8481DB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT
auf Bestellung 4700 Stücke:
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SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 13W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
183+1.27 EUR
252+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
15000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
auf Bestellung 45924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.6 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI8483DB-T2-E1VISHAYDescription: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 13W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
183+1.27 EUR
252+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1
Produktcode: 178232
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
auf Bestellung 16799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
24+0.89 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SI8487DBVishay / SiliconixMOSFETs
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SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.46 EUR
200+0.99 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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SI8487DB-T1-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
auf Bestellung 2697 Stücke:
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11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
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SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8487DB-T1-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8487DB-T1-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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3+1.37 EUR
10+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.38 EUR
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SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8489EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
auf Bestellung 2642 Stücke:
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19+1.15 EUR
25+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8489EDB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
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4+0.98 EUR
10+0.65 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8489EDB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8489EDB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8497DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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2+1.89 EUR
10+1.19 EUR
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500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.51 EUR
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SI8497DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8497DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8497DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
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SI8497DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
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3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1VishayTrans MOSFET P-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXCOM-RDSkyworks Solutions, Inc.Interface Development Tools Si84XX Isolated Communications Reference Design (Si842x 2.5kV and 5kV)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXCOM-RDSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI8421AD SI8421BB
Packaging: Box
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si8421AD, Si8421BB, Si8442AB
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DC to 150Mbps Data Transmission
Secondary Attributes: I2C Interface(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXCOM-RDSkyworks SolutionsSi8421AD/Si8421BB/Si8442AB Digital Isolator Development Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXCOM-RDSilicon Labs-40 TO 125 OC/SI84XX ISOLATED COMMUNICATIONS REFERENCE DESIGN (SI842X 2.5KV SI84
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXISO-KITSilicon LabsDevelopment Tools - Eval Boards Si84XX Ultra Low Pwr Eval Kit KIT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXISO-KITSkyworks Solutions, Inc.Interface Development Tools Si84XX Ultra Low Power Evaluation Kit (Si8400, Si8421, Si8442, Si8463, Si8420 5kV, Si8422 5kV)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI84XXISO-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BD FOR SI8400 SI8421 SI8442
Packaging: Bulk
Function: Digital Isolator
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si8400, Si8421, Si8442, Si8463
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DC to 150Mbps Data Transmission
Secondary Attributes: I2C Interface(s)
Embedded: No
Part Status: Active
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI85-100
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI85-101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI85-150
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI85-151
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI85-470
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8500SILICON
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-B-GMSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 12-QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 12-VFQFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 392mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 5A
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Number of Channels: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-B-GMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 А, Iживл = 7 мА, Uживл, В = 2.7...5,5, Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+125, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 392,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 74 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-GMSilicon LabsDescription: SENSOR CURRENT XFMR 5A AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-IMSilicon LabsQFN 12/A°/5A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 1KV SI8501
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-IMSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 12-QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 12-VFQFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 392mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 5A
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Number of Channels: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-IMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 А, Iживл = 7, Uживл, В = 2.7...5.5, Поляр. = однонаправленная, Тексп, °С = -40...+125, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 392, 12-QFN,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-IMRSilicon LabsDescription: SENSOR CURRENT XFMR 5A AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-IMRSilicon LabsQFN 12/A°/5A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 1KV SI8501
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-ISSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20 А, Iживл = 7, Uживл, В = 2.7...5.5, Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+125, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 392, 20-SOIC (0.300", 7.50mm Width) ,... Датчики Корпус: SOIC-20
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-ISSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 20-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 392mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 5A
Supplier Device Package: 20-SOIC
Number of Channels: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-ISSilicon LabsSOIC 20/A°/5A Current Sensor, Single Output 5kV SOIC20 SI8501
Anzahl je Verpackung: 38 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-ISRSilicon LabsSOIC 20/A°/5A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 5KV SI8501
Anzahl je Verpackung: 1250 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8501-C-ISRSkyworks Solutions Inc.Description: CURRENT SENSOR XFMR 5A 20-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 392mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 5A
Supplier Device Package: 20-SOIC
Number of Channels: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8502-B-GMSilicon LabsДатчик струму, Fдіап, кГц = 50...1000, Iдіап = 5, 10, 20, Iживл = 7, Uживл, В = 2,7...5,5, Поляр. = однонапрямлена, Тексп, °С = -40...+85, Точ. % = 5, Час відгуку, мкс = 1, Чутл., мВ/А = 196,... Датчики Корпус: QFN-12 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 74 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8502-C-GMSkyworks Solutions Inc.Description: SENSOR CURRENT XFMR 10A AC
Packaging: Tube
Package / Case: 12-VFQFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 196mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 10A
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Number of Channels: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8502-C-IMSilicon LabsQFN 12/A°/10A CURRENT SENSOR, SINGLE OUTPUT 1KV SI8502
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8502-C-IMSkyworks Solutions Inc.Description: SENSOR CURRENT XFMR 10A AC
Packaging: Tray
Package / Case: 12-VFQFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 196mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 50kHz ~ 1MHz
Accuracy: ±5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Sensor Type: Transformer w/Conditioning
For Measuring: AC
Current - Supply (Max): 7mA
Current - Sensing: 10A
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Number of Channels: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH