Produkte > BD2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BD2326L50200AHF2 | TTM Technologies, Inc. | Description: BALUN 2.3GHZ-2.6GHZ 50/200 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric), 6 PC Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.3GHz ~ 2.6GHz Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 200Ohm Insertion Loss (Max): 1.1dB Return Loss (Min): 12dB Phase Difference: 3° | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD2326L50200AHF2 | Anaren | Signal Conditioning | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD2326L50200AHF2 | TTM Technologies, Inc. | Description: BALUN 2.3GHZ-2.6GHZ 50/200 0603 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric), 6 PC Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.3GHz ~ 2.6GHz Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 200Ohm Insertion Loss (Max): 1.1dB Return Loss (Min): 12dB Phase Difference: 3° | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD2327N50100AHF | Anaren Inc | RF Transformer 1:1.41 4 Terminal SMD | auf Bestellung 128000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD2327N50100AHF | TTM Technologies, Inc. | Description: BALUN 2.3GHZ ~ 2.7GHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0404 (1010 Metric) Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.3GHz ~ 2.7GHz Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm Insertion Loss (Max): 0.6dB Return Loss (Min): 17dB Phase Difference: 7° | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD2327N50100AHF | Anaren Inc | RF Transformer 1:1.41 4 Terminal SMD | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD2327N50100AHF | TTM Technologies | Signal Conditioning 2.3-2.7GHzHz IL .6dB UnBal/Bal 50/100 ohm | auf Bestellung 15523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD2327N50100AHF | TTM Technologies, Inc. | Description: BALUN 2.3GHZ ~ 2.7GHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0404 (1010 Metric) Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.3GHz ~ 2.7GHz Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm Insertion Loss (Max): 0.6dB Return Loss (Min): 17dB Phase Difference: 7° | auf Bestellung 7534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD233 | On Semiconductor | TRANS NPN 45V 2A TO126-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD233 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD233 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD233-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 45V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD233STU | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD233STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W | auf Bestellung 4058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD233STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD233STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD233STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Rail | auf Bestellung 3712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD234 | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD234 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD234 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 4130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD234 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 45V 25W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD234 Produktcode: 192537
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD234 TO126 CDIL | CDIL | PNP 45V 2000mA 25W 3MHz BD234 TBD234 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD234G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 45V 25W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD234G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 25, Uceo, В = 45, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD234G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 4274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD234G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W | auf Bestellung 12946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD234G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD234G | On Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD234G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD234STU | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 2A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD235 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD235 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 2A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD235 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD235-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 60V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD235STU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD236 | onsemi | PNP/2A/60V TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD236 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD236 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 7324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD236 (Transistor) Produktcode: 48430
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD236STU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD236STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD236STU - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-225AA-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD236STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD236STU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W | auf Bestellung 8017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD236STU | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD236STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD236STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | auf Bestellung 3738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | auf Bestellung 4261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD237 | LGE | Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237 | STM | NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237 | ST | NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 153725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 | STMicroelectronics | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz | auf Bestellung 4717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237 | LGE | Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237 Produktcode: 214270
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Lieblingsprodukt
| HT SEMI | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-126 Transitfrequenz fT: 3 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В Kollektorstrom Ic, A: 2 A Montage: THT | auf Bestellung: 448 St.
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| BD237 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 153709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD237 | HT SEMI | Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237 | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 | ST | NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237 Produktcode: 174215
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Lieblingsprodukt
| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В Kollektorstrom Ic, A: 2 А Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD237 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237 (LGE) Produktcode: 126623
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| LGE | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-126 Transitfrequenz fT: 3 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В Kollektorstrom Ic, A: 2 A Montage: THT | auf Bestellung: 262 St.
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| BD237 (SOT-32, ST) Produktcode: 155417
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| ST | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-225 Transitfrequenz fT: 3 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В Kollektorstrom Ic, A: 2 A Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD237 (КТ817Г) Produktcode: 28046
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| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V Kollektorstrom Ic, A: 2 A Montage: THT | verfügbar: 15 St.
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| BD237-16 Produktcode: 123126
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| CYD | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-126 Transitfrequenz fT: 3 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В Kollektorstrom Ic, A: 2 A Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD237-16 CDIL | LGE | Tranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16; BD237-16 TBD23716 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237-16 CDIL | LGE | Tranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16; BD237-16 TBD23716 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237-16 TO126 CYD | CYD | NPN 2A 80V 25W BD237-16 TBD23716 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD237-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237B | PHILIPS | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD237G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Current gain: 40 | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD237G Produktcode: 190177
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD237G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) , Pbf Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN | auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD237G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD237STU | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD238 Produktcode: 172863
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| Philips | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 3 МГц Spannung Uce, V: 100 В Spannung Ucb, V: 100 В Strom Ic, A: 2 А Stromverstärkung h21, max: 40 | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD238 | LGE | PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD238 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238 | JSCJ | PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD238 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 10935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD238 | LGE | PNP 2A 80V 25W 3MHz BD238 TBD238 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD238 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 2A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238 Produktcode: 174169
1
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| NXP | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 3 МГц Spannung Uce, V: 100 В Spannung Ucb, V: 100 V Strom Ic, A: 2 A | auf Bestellung: 148 St.
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| BD238 | STM | PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD238 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238 | On Semiconductor | PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238 (КТ816Г) Produktcode: 51316
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| ST | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz Spannung Uce, V: 100 V Strom Ic, A: 2 A Bemerkung: 25 W | verfügbar: 10 St.
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| BD238G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238S | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BD238S | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD238STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1920 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
