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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BD234GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 25, Uceo, В = 45, Ic = 2 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 3, hFE = 25 @ 1 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD234STUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 2A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD235MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
288+0.81 EUR
326+0.65 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD235STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT-32-3
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD235STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD235-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 2A TO-126
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD235STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD236 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 50 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
182+1.27 EUR
256+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236PHI09+
auf Bestellung 17818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236onsemi PNP/2A/60V TO-126
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236 (Transistor)
Produktcode: 48430
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 3738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-126-3
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 11517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1332+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 6620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1398+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD236STU - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-225AA-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD236STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1398+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237LGETransistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
536+0.32 EUR
550+0.31 EUR
586+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.24 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 536 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237onsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
auf Bestellung 4303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+0.74 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMNPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
635+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 635 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STNPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237HT SEMITransistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237
Produktcode: 214270
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HT SEMITransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Montage: THT
auf Bestellung: 589 St.
  • 589 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.27 EUR
10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
50+0.75 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237LGETransistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 164180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.12 EUR
342+0.49 EUR
395+0.4 EUR
521+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.21 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
132+0.64 EUR
152+0.56 EUR
213+0.4 EUR
242+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237On SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
278+0.83 EUR
316+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 164178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.51 EUR
397+0.43 EUR
524+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
4000+0.23 EUR
10000+0.19 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STNPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237
Produktcode: 174215
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 2 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237 (LGE)
Produktcode: 126623
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
LGETransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Montage: THT
auf Bestellung: 290 St.
  • 290 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.25 EUR
10+0.23 EUR
100+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237 (SOT-32, ST)
Produktcode: 155417
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237 (КТ817Г)
Produktcode: 28046
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
1+0.27 EUR
10+0.24 EUR
100+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237-16LGETranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16; BD237-16 CDIL TBD23716
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237-16LGETranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16; BD237-16 CDIL TBD23716
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237-16CYDNPN 2A 80V 25W BD237-16 TO126 CYD TBD23716 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237-16
Produktcode: 123126
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CYDTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
100+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237BPHILIPS
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.51 EUR
86+1 EUR
101+0.84 EUR
128+0.67 EUR
250+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237G
Produktcode: 190177
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237GONSEMIDescription: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
143+1.62 EUR
215+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) , Pbf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+0.49 EUR
406+0.42 EUR
448+0.36 EUR
477+0.32 EUR
502+0.3 EUR
507+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238LGEPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238
Produktcode: 174169
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NXPTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 МГц
Spannung Uce, V: 100 В
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
auf Bestellung: 1061 St.
  • 1061 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.31 EUR
10+0.29 EUR
100+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD238 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
381+0.61 EUR
424+0.5 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238onsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238JSCJPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238LGEPNP 2A 80V 25W 3MHz BD238 TBD238
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STMPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238
Produktcode: 172863
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PhilipsTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 МГц
Spannung Uce, V: 100 В
Spannung Ucb, V: 100 В
Strom Ic, A: 2 А
Stromverstärkung h21, max: 40
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238On SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238 (КТ816Г)
Produktcode: 51316
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
Bemerkung: 25 W
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238SonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238S
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1920 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STU_NLSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238STU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238`
auf Bestellung 5773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239Harris CorporationDescription: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239PHI09+
auf Bestellung 17818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 45V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD2390InterlightDescription: Replacement for Black & Decker B
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ABournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239Aonsemionsemi NPN/2A/60V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239A-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 60V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ATUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1444+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ATUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ATUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239ATU - BD239ATU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239ATUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239B
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BonsemiBipolar Transistors - BJT NPN/2A/80V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BBournsBipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239B-SBourns Inc.Description: TRANS NPN 80V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
801+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 801 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BTUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BTUONSEMIDescription: ONSEMI - BD239BTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239BTUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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