Produkte > FF6
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1B70BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1B70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B Part Status: Obsolete Supplier Device Package: AG-EASY2B Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1B70BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 35-Pin AG-EASY2B Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA Supplier Device Package: Module | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 150A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Supplier Device Package: Module | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR12W2M1_B11 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 160A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780nC @ 3V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |