Produkte > FF6

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+545.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+438.5 EUR
10+411.51 EUR
25+376.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+607.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+517.34 EUR
5+473.22 EUR
10+443.91 EUR
30+425.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+438.5 EUR
10+420.65 EUR
25+391.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+607.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+563.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+694.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 35-Pin AG-EASY2B Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+250.85 EUR
15+221.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+252.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+317.35 EUR
5+281.93 EUR
10+248.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+95.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+95.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+400.09 EUR
5+366.78 EUR
10+334.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+309.61 EUR
10+301.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+309.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+279.41 EUR
10+269.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+265.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 200A
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+479.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+515.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+191.03 EUR
2+181.52 EUR
3+171.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+479.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+463.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+679.56 EUR
5+594.23 EUR
10+541.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+556.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER EASY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1_B11Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR20W2M1HB70BPSA1Infineon Technologies CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+588 EUR
10+501.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR20W2M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+662.41 EUR
5+602.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR20W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 160A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780nC @ 3V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+419.26 EUR
15+370.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 - H COOLSIC TRENCH MOSFET
tariffCode: 85044095
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+537.06 EUR
5+488.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+445.71 EUR
10+393.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6