Produkte > STB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
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| STB13N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60Z | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60Z-1 | ST | TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH | auf Bestellung 697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB13NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM50N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM50N-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB13NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB13NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB13NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs POWER MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM60N | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB13NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140N4F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Power Dissipation (Max): 168W (Tc) Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF55 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF55T | auf Bestellung 49000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp | auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Gate charge: 142nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 80A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Drain-source voltage: 55V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T | auf Bestellung 49000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STM | МОП-транзистор N-Ch 75 V 120 A D2PAK-2 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 75 Volt 120 Amp | auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ | auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB140NF75T4 D2PAK Produktcode: 218913
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| STB141NF55 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB141NF55 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB141NF55-1 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STB141NF55-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package | auf Bestellung 1346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14NF10 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50Z-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50Z-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STM | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH | auf Bestellung 5985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ On-state resistance: 0.38Ω Power dissipation: 150W Drain current: 7.6A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 500V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NK60 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK60Z | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK60Z-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V | auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STB14NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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