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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK3758(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
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2SK375L
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2SK375S
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2SK376
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2SK3761 (M)ToshibaMOSFET
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2SK3767
Produktcode: 2876
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3767Toshiba
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2SK3767 (Q,M)ToshibaMOSFETs
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2SK3767(Q)ToshibaMOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm
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2SK3767(Q,M)ToshibaMOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET WARP-TO-200SIS MOQ=50 V=600V F=1MHZ
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2SK3767(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
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2SK3767(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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2SK3767(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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2SK3767(STA4QM)ToshibaMOSFET
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2SK3767,S5Q(JToshibaToshiba
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2SK376J
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2SK376K
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2SK376L
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2SK376M
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2SK377
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2SK3772-01TT ElectronicsTT Electronics MOSFET
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2SK3774-01S-TE24R
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2SK377J
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2SK377K
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2SK377L
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2SK377M
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2SK378
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2SK378-P
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2SK3782-T1NEC
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2SK379
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2SK3793-AZRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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2SK3793-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Packaging: Bulk
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2SK3796-2-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Power - Max: 100 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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2SK3796-2-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3796-2-TL-E - 2SK3796 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 324000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
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2SK3796-2-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 320500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2664 Stücke
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2SK3796-3-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
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2SK3796-3-TL-EON SemiconductorJFET Junction FET 30V 10mA Nch SMCP
auf Bestellung 70 Stücke:
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2SK3796-3-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3796-3-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 128772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SK3796-3-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
auf Bestellung 140772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2664 Stücke
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2SK3796-3-TL-E
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SK3796-4-TL-EonsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Power - Max: 100 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMCP
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SK3797
Produktcode: 108305
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3797Toshiba
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2SK3797 (Q)ToshibaMOSFETs
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2SK3797(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 600V 13A Rdson 0.43 Ohm
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2SK3797(S4TETV,Q,MToshibaMOSFET
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2SK3797(S5TETV,A,XToshibaMOSFET
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2SK3797,S5Q(JToshibaMOSFET
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2SK3797,S5X(MToshibaToshiba
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2SK3798(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SK3798(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(SIS)PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.45 EUR
100+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.07 EUR
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2SK3798(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SK3798(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SK3798,S5Q(JToshiba2SK3798,S5Q(J
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2SK3799ToshibaMOSFET
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2SK3799TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3799 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2SK3799 (Q)ToshibaMOSFET
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2SK3799 (Q,M)ToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(Q)ToshibaMOSFET
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2SK3799(Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 900V
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.63 EUR
27+3.25 EUR
30+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(Q,M)ToshibaТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3799(S4PHIL,Q)ToshibaMOSFET Pb-FF TO-220SIS,PRE-ACTIVE,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK38
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK380
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3800Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SK3800VLSanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Supplier Device Package: TO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3800VRSanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220S
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SK3801Sanken Electric USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK381
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3811TOSHIBA09+ SOT23
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3811(0)-ZP-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs NCH POWER MOSFET 40V 110A 1.8MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 110A 1.8mohm TO-263 / D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3811-ZP-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812(0)-ZP-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm TO-263 / D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AYRenesasTO263/POWER MOSFET 2SK3812
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-25LZP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS2
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+9.13 EUR
25+8.96 EUR
100+7.39 EUR
250+7.27 EUR
500+6.94 EUR
800+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-25LZP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.76 EUR
10+9.28 EUR
100+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3812-ZP-E1-AZ/JMNECSOT263/2.5
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3813(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3813-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3813-ZNEC06+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3813-Z-AZRenesasDescription: 2SK3813-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3813-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814(0)-Z-E1-AZRenesasSwitching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.17 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814(0)-Z-E2-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814(01)-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814(01)-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 84W (Tc)
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
auf Bestellung 6430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
183+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3 AL
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.96 EUR
100+3.15 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3814-Z-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET MP-3Z PoTr-MOSFET Low
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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