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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK3815SANYO05+
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3815-DL-ESanyo Electric2SK3815-DL-E
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.65 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3815-DL-ESanyoDescription: 2SK3815 - N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3815-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3815-E - 2SK3815 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3815-EON Semiconductor2SK3815-E
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.65 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3815-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-1EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+2.06 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
376+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3816-DL-1E - 2SK3816-DL-1E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-1EXonsemiDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3816-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3817-DL-EonsemiMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3817-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3818-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3818-DL-E - 2SK3818-DL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3818-DL-ESanyoDescription: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3818-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3818-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3819-DL-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
10000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3819-DL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) SMP-FD
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
10000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3819-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3819-DL-E - 2SK3819 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK382
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3820-DL-1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3820-DL-1EXonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
329+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3820-DL-1EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3820-DL-1EX - 2SK3820 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3820-DL-EonsemiMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3820-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3820-EonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3821-DL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP-FD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3821-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3821-E - 2SK3821 - MOSFET N-CHANNEL 100V 40A SMP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3821-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
auf Bestellung 18594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
99+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3821-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3823onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3824onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3826onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3826onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3827onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK383
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK384
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3842ToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3842(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
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2SK3842(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm
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2SK3843(TE24LQ)ToshibaMOSFETs
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2SK3844(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220NIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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2SK3845(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 70A TO-3PN
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2SK3845(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2SK3847(SM,Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.64 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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2SK384K
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SK384L
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK384S
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2SK385
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SK3850-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.7A 3-Pin(3+Tab) TP
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162+1.09 EUR
285+0.6 EUR
407+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.32 EUR
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2SK3850-TL-EON Semiconductor2SK3850-TL-E
auf Bestellung 39900 Stücke:
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616+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.84 EUR
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2SK3850-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3850-TL-E - 2SK3850 - N-CHANNEL 10V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.17 EUR
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2SK3850-TL-EonsemiDescription: NCH 10V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 39900 Stücke:
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650+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
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2SK3856-5-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3856-5-TB-E - 2SK3856 - N-CHANNEL 30MA 15V MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
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2SK3856-5-TB-EonsemiDescription: NCH 30MA 15V MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3806+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3806 Stücke
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2SK3857TV-BTOSHIBAVESM2
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK386
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SK3863
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3863(TE16L1,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DP
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SK3868 (Q)ToshibaMOSFETs
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2SK3868 (Q,M)ToshibaMOSFETs
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2SK3868(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 500V, 5A
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2SK3868(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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2SK3868(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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2SK3868,LS1FJQ(JToshibaMOSFET
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2SK3868,LS1FJQ(MToshibaMOSFET
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2SK3868,S5Q(JToshibaMOSFET
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2SK387
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3878JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,4Ohm; 9A; 270W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2SK3878Toshiba
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2SK3878ToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 9 А, Rds = 1 Ом, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3PN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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2SK3878JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,4Ohm; 9A; 270W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SK3878
Produktcode: 56955
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ToshibaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
auf Bestellung: 87 St.
  • 87 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.37 EUR
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2SK3878(F)ToshibaMOSFETs
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2SK3878(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2SK3878(F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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2SK3878(STA1,E,S)Toshiba2SK3878(STA1,E,S) 2SK3878STA1.E.S 900V 9A 1O@10V,4A 150W 4V@1mA N Channel SC-65 Транзистори
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2SK3878(STA1,E,S)ToshibaTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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2SK3878FTOSHIBA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3878[F]ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 9A TO-3PN Транзистори
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2SK3879(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SK388
Produktcode: 149150
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK388
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3880TOSHIBA09+
auf Bestellung 24 Stücke:
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2SK3880(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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2SK3880(SNKD,F)ToshibaToshiba
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2SK3889(01)-ZK-E1-AY/JMNECTO263
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK389
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK389-BLToshibaMOSFETs Pb ZIP-FET(LF),DISCON(02-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(10-04),
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2SK389-GRToshibaMOSFETs Pb ZIP-FET(LF),DISCON(02-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(10-04),
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2SK3892Panasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 200V 22A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3177 pF @ 25 V
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2SK3899(0)-ZK-E1-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3899(0)-ZK-E1-AYRenesasDescription: 2SK3899K - Nch Single Power Mosf
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) , 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
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2SK3899(0)-ZK-E1-AYRenesasSwitching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+10.14 EUR
100+9.5 EUR
500+8.81 EUR
1000+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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