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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4963BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
83+2.81 EUR
121+1.77 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 39662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
10000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4963DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 40594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYFAIRCHILD09+
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.77 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DY+-1Y
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DY-T1VISHAY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DY-TI-E3
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963Y-T1-E3
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DYVISHAY09+
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DY-T1VISHAY2004
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4965DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966AL
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DV-T1
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DYVISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DY-71
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DY-T1
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4966DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYVISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYVishay / SiliconixMOSFET 12V 7.5A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI9933CDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-T1SILICONIX04+
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI9933CDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4971DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4971DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DY-T1-E3VishayMOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DY-T1-GE3
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DYVishay / SiliconixMOSFETs DUAL P-CHANNEL 25-V (g-s) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DYVISHAY09+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL P-CHANNEL 25-V (g-s) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET DUAL P-CHANNEL 25-V (G-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1VISHAY
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4976DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4976DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4978DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DYVishay / SiliconixMOSFET 80V 3.7A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DY-T1VISHAY0337+
auf Bestellung 1990 Stücke:
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SI4980DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4980DY-T1-GE3
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SI4980DYT1VISHAYSO-8
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SI4980DYT1E3VISHAY
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SI4982SIEMENS01+ SOP
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SI4982DYVishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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SI4982DYVishayDual N-Channel, 100-Vds Rated MOSFET Транзистори
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SI4982DY (verschiedene ICs)
Produktcode: 40495
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UKTZED: 8542 39 90 00
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SI4982DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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SI4982DY-T1SILICONIX0101+
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SI4982DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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SI4982DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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SI4982DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4982DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V
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SI4982DY-T1-GE3
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SI4982DYT1VISHAY07+ SO-8
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SI4982DYT1E3VISHAY
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SI499ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: for quartz
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.23mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 12x5mm
Mounting: glued
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42+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SI4992DYVISHAY09+
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SI4992DY-T1-E3
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SI4992EY
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SI4992EY-T1-E3
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SI4992EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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