Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC024NE2LS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 1537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 3089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSC024NE2LSATMA1 Produktcode: 116188
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSC024NE2LSXT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03LS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | auf Bestellung 2183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N03LS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03LS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | auf Bestellung 2183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03LSG | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 233-237 Tag (e) |
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| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V | auf Bestellung 2015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 28329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N03MSG | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC025N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 3796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 3796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 9700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 14500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5 | Infineon Technologies | BSC025N08LS5 | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5 | Infineon Technologies | Infineon TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N08LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 1675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 385000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 4897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N02KS G | Infineon | auf Bestellung 95000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC026N02KSG | Infineon Technologies | Description: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V | auf Bestellung 27190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N02KSG | infineon | 08+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N02KSGAUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC026N02KSGAUMA1 - BSC026N02 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 132 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V | auf Bestellung 26892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N04LS | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N04LS | Infineon technologies | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC026N04LS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N04LSATMA1 | Infineon | BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LS MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON-8(5x6) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) | auf Bestellung 4440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 31998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 63W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 8773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N08NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5 | Infineon | auf Bestellung 14128 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | auf Bestellung 7750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 | auf Bestellung 7775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 11819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 11863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V | auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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