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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCB20N60FTMonsemiMOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 9210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+8.98 EUR
100+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.84 EUR
26+6.33 EUR
100+4.83 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.28 EUR
14+6.46 EUR
16+5.41 EUR
25+4.68 EUR
50+4.24 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.36 EUR
10+9.01 EUR
100+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.84 EUR
26+6.58 EUR
100+5.09 EUR
250+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.57 EUR
22+11.04 EUR
25+8.65 EUR
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.51 EUR
10+9.12 EUR
100+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TMonsemiMOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 4833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+9.13 EUR
100+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2100RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 100 OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 100 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2100RJTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB2 100R 5% HP
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.65 EUR
25+1.52 EUR
50+1.39 EUR
100+1.2 EUR
250+1.01 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB210RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 10 OHM 5% 2W RADIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB21K0JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 1K0 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB21K0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1K OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 1 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB21K0JCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB21K0J - Widerstand für Durchsteckmontage, 1 kohm, FC Series, 2 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 44.7 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 2W
Widerstand: 1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
Nennspannung: 44.7V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB21R0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1 OHM 5% 2W RADIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB21R0JCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB21R0J - Widerstand für Durchsteckmontage, 1 ohm, FC Series, 2 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 1.4 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 1ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -70ppm/°C bis +250ppm/°C
Produktlänge: 19.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
Nennspannung: 1.4V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB21R0JTE Connectivity / AMPWirewound Resistors - Through Hole FCB2 1R0 5% HP
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.65 EUR
100+1.2 EUR
250+1.12 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2220RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 220 OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 220 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB222RJTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 22.0 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB222RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 22R 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB22K2JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 2.2K OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB22K2JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 2K2 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB22R2JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 2.20 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB22R2JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB2 2R2 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2330RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 330 OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 330 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB23R3KTE Connectivity / AMPWirewound Resistors - Through Hole FCB2 3R3 10% HP
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.65 EUR
25+1.52 EUR
50+1.39 EUR
100+1.2 EUR
250+1.01 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB23R3KTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 3.30 OHM 2W 10% RADIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB247RJTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 47.0 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB247RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 47R 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB24R7JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 4R7 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB24R7JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 4.70 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.19 EUR
25+3.49 EUR
28+3.06 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.63 EUR
10+5.71 EUR
100+4.05 EUR
500+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80On SemiconductorMOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.42 EUR
10+8.81 EUR
100+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.59 EUR
10+10.56 EUR
25+9.97 EUR
100+8.54 EUR
250+8.07 EUR
500+7.6 EUR
800+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
1600+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2R22JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB2 R22 5% HP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 169-173 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.65 EUR
25+1.52 EUR
50+1.39 EUR
100+1.2 EUR
250+1.01 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2R22JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 0.22 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2R33JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 0.33 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2R33JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 R33 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2R47JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 R47 5% HP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB2R47JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 0.47 OHM 2W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216-310
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216-700TTAIYO2006
auf Bestellung 4863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216K-260T05
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216K-310NEC310-1206
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216K-310 310-1206NEC
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216K-420
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3216K-900T05
auf Bestellung 17996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB3612ST101S
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60Nonsemionsemi SM 600V 125MOHM F D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.45 EUR
16+15.32 EUR
18+12 EUR
50+11.44 EUR
100+10.84 EUR
250+10.82 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMonsemi / FairchildMOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMON Semiconductor
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.44 EUR
17+9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+13.07 EUR
500+11.7 EUR
800+11.06 EUR
1600+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.51 EUR
20+8.39 EUR
100+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB4100RJTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB4 100R 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB4100RJCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB4100RJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 100 ohm, FC Series, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 20 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
Nennspannung: 20V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB4100RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 100 OHM 5% 4W RADIAL
Resistance: 100 Ohms
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Composition: Wirewound
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Package / Case: Radial
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Tolerance: ±5%
Power (Watts): 4W
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
20+1.09 EUR
25+0.99 EUR
50+0.92 EUR
100+0.86 EUR
250+0.77 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB410KJCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB410KJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 10 kohm, FC Series, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 10kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produktpalette: FC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB410KJTE Connectivity Passive ProductDescription: FIXED RESISTOR, WIRE WOUND, 4W,
Packaging: Tray
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia (5.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 0.953" (24.20mm)
Resistance: 10 kOhms
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB410KJTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD SP17 (2817) 4W 1% 9.1R T/R-2000
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB410RJTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole 10 Ohms 4W 40PPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB410RJTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - FCB410RJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 10 ohm, FC Series, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 6.3 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 10ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -80ppm/°C bis +40ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennspannung: 6.3V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
159+1.46 EUR
167+1.29 EUR
176+1.23 EUR
192+1.12 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB410RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 10 OHM 5% 4W RADIAL
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: -80/ +40ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 10 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB412RJTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 12.0 OHM 4W 5% RADIAL
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB4150RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 150 OHM 5% 4W RADIAL
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 150 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB4150RJCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB4150RJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 150 ohm, FC, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 24.5 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 150ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -70ppm/°C bis +250ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC
productTraceability: No
Nennspannung: 24.5V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB4150RJTE Connectivity / HolsworthyLabels and Industrial Warning Signs TB Label 6.0mm Marking 41-50
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB415RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB4 15R 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB415RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 15 OHM 5% 4W RADIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB418RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB4 18R 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB418RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 18.0 OHM 4W 5% RADIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB41K0JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB4 1K0 5% HP
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB41K0JCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB41K0J - Widerstand für Durchsteckmontage, 1 kohm, FC, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 63.3 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 63.3V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -mm
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB41K0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1.00K OHM 4W 5% RADIAL
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
12+1.81 EUR
25+1.65 EUR
50+1.51 EUR
100+1.31 EUR
250+1.11 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB41K5JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB4 1K5 5% HP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB41K5JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1.5K OHM 5% 4W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 1.5 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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