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Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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IPB027N10N5

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

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IPB027N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.76 EUR
27+	6.15 EUR
100+	4.38 EUR
500+	3.7 EUR
1000+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.03 EUR
46+	3.53 EUR
100+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.84 EUR
28+	8.31 EUR
50+	6.66 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.61 EUR
10+	6.37 EUR
100+	5.26 EUR
500+	4.71 EUR
1000+	4.19 EUR

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 571 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.33 EUR
100+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Infineon

IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Транзистори

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IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.58 EUR
10+	7.03 EUR
50+	5.52 EUR
100+	5.03 EUR
500+	4.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.73 EUR
28+	6.26 EUR
100+	4.53 EUR
500+	3.89 EUR
1000+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.78 EUR
27+	6.3 EUR
100+	4.56 EUR
500+	3.92 EUR
1000+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.03 EUR
46+	3.68 EUR
100+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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IPB029N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.78 EUR
10+	3.72 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.8 EUR

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IPB029N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.83 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.59 EUR
55+	3.08 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.76 EUR
2000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.34 EUR
53+	4.4 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.76 EUR
2000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2649 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.32 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.65 EUR
100+	2.43 EUR
500+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.75 EUR
35+	2.46 EUR
50+	1.94 EUR
100+	1.75 EUR
200+	1.58 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06N3GATMA1
Produktcode: 150736

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPB029N06N3GE8187ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPB029N06N3GE8187ATMA1

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IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 1337 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.22 EUR
10+	4.72 EUR
50+	3.65 EUR
100+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	3 EUR
100+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.57 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 16800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.74 EUR
8000+	2.46 EUR
12000+	2.24 EUR
16000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.28 EUR
59+	2.89 EUR
100+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IPB029N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	5.97 EUR
65+	3.57 EUR
102+	2.11 EUR
500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.17 EUR
100+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

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IPB029N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 1525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.59 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.51 EUR

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IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.58 EUR
58+	2.89 EUR
100+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	11.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB029N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

auf Bestellung 884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.51 EUR
10+	8.41 EUR
50+	6.65 EUR
100+	6.08 EUR
500+	5.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB029N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.53 EUR
10+	10.09 EUR
100+	8.16 EUR
500+	7.31 EUR
1000+	6.2 EUR

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IPB029N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.15 EUR
22+	10.77 EUR
100+	7.28 EUR
500+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.15 EUR
22+	10.77 EUR
100+	7.28 EUR
500+	6.99 EUR
1000+	6.49 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB029N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	7.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB030N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

auf Bestellung 1654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.59 EUR
10+	5.05 EUR
100+	4.11 EUR
500+	3.47 EUR
1000+	3.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB030N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.54 EUR
10+	5.63 EUR
100+	3.97 EUR
500+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 776 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.47 EUR
39+	6.1 EUR
100+	4.18 EUR
500+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

auf Bestellung 1273 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.91 EUR
10+	4.5 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.43 EUR
2000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.32 EUR
3000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

auf Bestellung 2610 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.66 EUR
10+	3.36 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.44 EUR
500+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.54 EUR
37+	6.43 EUR
100+	4.44 EUR
500+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 7870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.78 EUR
10+	4.41 EUR
50+	3.4 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031N08N5ATMA1

Rochester Electronics, LLC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.1mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.03 EUR
10+	8.13 EUR
100+	6.66 EUR
500+	5.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3G

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 304-308 Tag (e)

1+	9.32 EUR
10+	8.33 EUR
100+	6.83 EUR
250+	6.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

auf Bestellung 3216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 175 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB032N10N5ATMA1

Infineon

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

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IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

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37+	6.35 EUR
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IPB032N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

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100+	3.71 EUR
1000+	3.42 EUR
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IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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25+	6.76 EUR
26+	6.21 EUR
100+	5.32 EUR
250+	4.87 EUR
500+	4.32 EUR
1000+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB033N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 108A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	9.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 909 Stücke:

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18+	9.84 EUR
27+	6.15 EUR
30+	5.45 EUR
100+	4.24 EUR
250+	4.03 EUR
500+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.84 EUR
27+	6.3 EUR
30+	5.66 EUR
100+	4.47 EUR
250+	4.37 EUR
500+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 1783 Stücke:

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1+	11.69 EUR
10+	7.85 EUR
100+	5.65 EUR
500+	5.24 EUR
1000+	4.9 EUR

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IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 1593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.06 EUR
200+	5.14 EUR
500+	4.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	6.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.09 EUR
28+	6.12 EUR
50+	5.55 EUR
100+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

auf Bestellung 629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.88 EUR
10+	7.97 EUR
50+	6.28 EUR
100+	5.75 EUR
500+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	11.47 EUR
23+	7.41 EUR
50+	5.64 EUR
100+	4.95 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB033N10N5LFATMA1