Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB039N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB039N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB039N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB039N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 32000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB039N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 32000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB039N10N3GE8197ATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LA | INF | 07+; | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LAG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB03N03LAG | infineon | to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LB | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB03N03LBG | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB0401NM5S | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB0401NM5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB0401NM5SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB0401NM5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB040N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB040N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB040N08NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB041N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB041N04N G | INF | TO-263 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB041N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB041N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N03L G | INF | TO-263 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10N3 G | Infineon | auf Bestellung 167000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10N3 G E8187 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GATMA1 Produktcode: 117738
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | auf Bestellung 18179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 31000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10N3GE818XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | IPB042N10NF2SATMA1 | auf Bestellung 898400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB042N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | IPB042N10NF2SATMA1 | auf Bestellung 459200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB042N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Discontinued at Digi-Key | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB043N10NF2S | Infineon Technologies | IFX FET >80 - 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 135A Power dissipation: 167W Case: D2PAK-3 On-state resistance: 4.35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB043N10NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB043N10NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 69 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB044N15N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 3766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 13619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V | auf Bestellung 4172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm | auf Bestellung 1567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 178000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N06L | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N06LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 216 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N06LG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N15N5 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 3469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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