Produkte > IPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R180P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7 | Infineon | auf Bestellung 54960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 132960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 25200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 24439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190C6 Produktcode: 133423
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 54 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon | IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190E6 | Infineon | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190P6 Produktcode: 107275
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM | auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R199CP | Infineon Technologies | Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R230P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 248 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 | auf Bestellung 10800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 148 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R250CP | INF | TO-247 | auf Bestellung 22080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 13920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 14160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280E6 | Infineon technologies | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280P6 Produktcode: 169317
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPW60R280P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280P6 | Infineon | auf Bestellung 56820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
