Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRF1404LPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 84172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 281999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF Produktcode: 31360
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 Idd,A: 162 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160 JHGF: THT | auf Bestellung 809 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 3 St.: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ ,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 7539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 11896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 4mΩ | auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC | auf Bestellung 5932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 281999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF-EL | International Rectifier | Description: MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC | auf Bestellung 4386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 1582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF Produktcode: 169012
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 1582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 248 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404Z | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 Idd,A: 75 Rds(on), Ohm: 0.0037 JHGF: THT | auf Bestellung 125 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 3.7mΩ | auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 7095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 220W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 1159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 7100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg | auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZS | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZS Produktcode: 99461
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 40 Idd,A: 120 Rds(on), Ohm: 2.7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4340/100 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 395 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon | MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 83 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 4115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1404ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405 | IR | 2004 TO220 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1405 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1405LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 131A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 20660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | auf Bestellung 11575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 20660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 28465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF Produktcode: 27155
1
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Idd,A: 169 Rds(on), Ohm: 0.0053 JHGF: THT | auf Bestellung 223 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 170nC On-state resistance: 5.3mΩ | auf Bestellung 1908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC | auf Bestellung 2657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 169 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5480 @ 25, Qg, нКл = 260 @ 10 В, Rds = 5,3 мОм @ 101 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 330, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1405PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 15816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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