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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7060-B-01-IVRSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Strip
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 Cut Tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVSilicon LabsBoard Mount Temperature Sensors +/-1 C maximum digital I2C temperature sensors, 0x32 I2C Address
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVRSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7060-B-02-IVR - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 2°C, -40 °C, 125 °C, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Erfassungsgenauigkeit: ± 2°C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 1.71
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40
Erfassungstemperatur, max.: 125
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVRSilicon LabsBoard Mount Temperature Sensors +/-1 C maximum digital I2C temperature sensors, 0x32 I2C Address
auf Bestellung 59489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.58 EUR
100+1.19 EUR
500+1 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.81 EUR
9000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7060-B-02-IVR - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 2°C, -40 °C, 125 °C, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-02-IVRSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVSilicon LabsBoard Mount Temperature Sensors +/-1 C maximum digital I2C temperature sensors, 0x33 I2C Address
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Strip
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 Cut Tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVRSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVRSilicon LabsBoard Mount Temperature Sensors +/-1 C maximum digital I2C temperature sensors, 0x33 I2C Address
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVRSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-B-03-IVRSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-EVBSilicon LabsTemperature Sensor Development Tools Si7060 Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-EVBSilicon LabsDescription: SI7060 EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Sensitivity: ±1°C
Interface: I2C
Contents: Board(s)
Sensor Type: Temperature
Utilized IC / Part: Si7060
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7060-EVBSilicon LaboratoriesSi7060 Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7072SISOP-8
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.94 EUR
6000+0.87 EUR
9000+0.84 EUR
15000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
auf Bestellung 50585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.19 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 104641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 35A 52W
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 35A
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.58 EUR
6000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 27414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.5 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
10+2.88 EUR
100+2.25 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 23106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-E3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108
auf Bestellung 6240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108DN
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7108DN-T1
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SI7108DN-T1-3
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SI7108DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 22A 0.0049Ohm
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1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
3000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+1.88 EUR
6000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7108DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1792 Stücke:
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SI7108DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
auf Bestellung 17800 Stücke:
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6+4.13 EUR
10+3.7 EUR
100+2.98 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
auf Bestellung 36000 Stücke:
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3000+1.88 EUR
6000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7108DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V
auf Bestellung 4028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.31 EUR
100+2.28 EUR
500+1.89 EUR
3000+1.77 EUR
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SI7108DN-T1-GE3
auf Bestellung 200000 Stücke:
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SI7108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
auf Bestellung 42079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+3.7 EUR
100+2.98 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7110
auf Bestellung 6500 Stücke:
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SI7110DN
auf Bestellung 100000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7110DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm
auf Bestellung 2021 Stücke:
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SI7110DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7110DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
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SI7110DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 21.1A 0.0053Ohm
auf Bestellung 5440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+3.53 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.83 EUR
6000+1.8 EUR
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SI7110DN-T1-GE3
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+4.01 EUR
100+3.22 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7111EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 14036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7111EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
9000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112SI
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DNVISHAY09+
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3VISHAY0843+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.89 EUR
3000+1.78 EUR
6000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.73 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
auf Bestellung 10268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
auf Bestellung 23623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
auf Bestellung 42644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.93 EUR
268+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
15000+0.36 EUR
21000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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