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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPP12N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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SPP12N50C3INF07+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 11.6A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP12N50C3
Produktcode: 47987
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12N50C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP12N50C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12N50C3XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP12N50C3XKSA1 - SPP12N50 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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SPP12N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 560V 11.6A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 10179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
182+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP12X183MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP133MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP1305S32RG
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP133R0JLFTRIRC / TT ElectronicsWirewound Resistors - Through Hole 33 OHM 5% 1W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP133R0JTRIRC / TT ElectronicsWirewound Resistors - Through Hole 33 OHM 5% 1W
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP1380BEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP143MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
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SPP1433S32RG
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP14X203MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP14X243MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP14X283MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP14X323MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP153MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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SPP15N60C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 15A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP15N60C3INFINEON
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPP15N60C3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3
Produktcode: 100727
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8542 39 90 00
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SPP15N60C3InfineonMOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Транзистори
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SPP15N60C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP15N60C3
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP15N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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SPP15N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 15A TO220-3
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.79 EUR
10+6.89 EUR
500+5.34 EUR
1000+5.19 EUR
2500+5.07 EUR
5000+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
33+7.06 EUR
100+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 13.4A TO220-3 CoolMOS CFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFDHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPP15N60CFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFDHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFDXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 13.4A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N65C3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N65C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N65C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
146+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP15P10P - SPP15P10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10P HInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -100V -15A TO220-3
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+3.37 EUR
100+2.73 EUR
250+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10P HInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PHInfineon TechnologiesDescription: 15A, 100V, 0.24OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
507+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PHXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP15P10PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 128
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PHXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PHXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP15P10PHXKSA1 - SPP15P10 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PHXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PL HInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -15A TO220-3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+4.55 EUR
25+2.28 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PL HInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.26 EUR
56+3.08 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.59 EUR
51+3.42 EUR
100+3.22 EUR
250+3.06 EUR
500+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.47 EUR
59+2.93 EUR
100+2.12 EUR
200+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP15P10PLHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
84+2.78 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.17 EUR
166+1.01 EUR
170+0.95 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
170+1.01 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SPP163MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP163M Scotch-Brite Surface Preparation Pad SPP16, 16 in, 10/Case
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP165R0K-152IRC / TT ElectronicsWirewound Resistors - Through Hole NON-COATED
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3INF07+;
auf Bestellung 38250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 560V 16A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP16N50C3
Produktcode: 32700
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/66
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 73 St.
  • 73 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP16N50C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 560V 16A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP16N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP173MDescription: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C2
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3
Produktcode: 34777
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PG-TO220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/88
Montage: THT
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+3.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+6.91 EUR
100+5.09 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 177, Rds = 0,290 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3E3064InfineonSPP17N80C3E3064 SPP17N80C3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.45 EUR
50+4.25 EUR
100+3.77 EUR
500+3.32 EUR
1000+3.15 EUR
2000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+6.94 EUR
100+5.11 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.64 EUR
1000+3.56 EUR
2000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.64 EUR
1000+3.49 EUR
2000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.44 EUR
50+4.33 EUR
100+3.9 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.42 EUR
2000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.75 EUR
38+6.25 EUR
100+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
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