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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJ464EP-T1/BE3VishayArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 76337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
6000+0.75 EUR
9000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ464EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
96+1.76 EUR
123+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
77+3.02 EUR
100+2.25 EUR
500+2.02 EUR
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+2.02 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.71 EUR
65+1.31 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 20649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+2.02 EUR
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 31388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+4.57 EUR
25+4.11 EUR
100+3.5 EUR
250+3.22 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 22571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.7 EUR
50+5.06 EUR
100+3.59 EUR
500+3.02 EUR
1500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 27171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.02 EUR
100+3.52 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+2.98 EUR
1500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.96 EUR
100+3.71 EUR
500+3.12 EUR
1000+3.01 EUR
3000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
15+1.48 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.49 EUR
100+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
auf Bestellung 26240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
14+1.5 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ474EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.54 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
14+1.5 EUR
100+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 14637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
141+1.64 EUR
206+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
211+0.8 EUR
212+0.76 EUR
256+0.61 EUR
257+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
6000+0.58 EUR
9000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.48 EUR
24000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
141+1.64 EUR
206+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+0.83 EUR
212+0.81 EUR
256+0.65 EUR
257+0.64 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
15+1.43 EUR
100+0.98 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.45 EUR
24000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
78+3 EUR
94+2.3 EUR
118+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
12+1.86 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.94 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 210752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
6000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 38033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.82 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
98+2.39 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3
Produktcode: 194623
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
159+1.01 EUR
175+0.89 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 16A, POWERPAKSO
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
95+2.46 EUR
108+2 EUR
125+1.73 EUR
250+1.59 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_BE3VishayP-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_BE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.65 EUR
100+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
102+2.28 EUR
153+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3
Produktcode: 191995
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 8329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
133+1.76 EUR
180+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T2-GE3VishayVishay MOSFET 80V PCH 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.88 EUR
9000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
12+1.82 EUR
100+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 21677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.78 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.92 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
12+1.82 EUR
100+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SQJ488EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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SQJ488EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V(D-S)
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