Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRF140 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF140 | Semelab / TT Electronics | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404 | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC | auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404LPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 8360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 281162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF Produktcode: 31360
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 202 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160 Montage: THT | erwartet: 3 St.
auf Bestellung: 775 St.
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 82172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 281162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4mΩ Gate charge: 160nC Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC | auf Bestellung 8267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ ,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 11896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404PBF-EL | International Rectifier | Description: MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404STRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC | auf Bestellung 3776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 60800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF Produktcode: 169012
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404STRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404STRRPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 248 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404Z | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 38791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.7mΩ Gate charge: 0.1µC Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 220W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg | auf Bestellung 5136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm Montage: THT | auf Bestellung: 121 St.
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF1404ZPBF | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZS Produktcode: 99461
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,7 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4340/100 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF1404ZS | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 1465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSPBF | Infineon | MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZSPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1404ZSPBF - IRF1404 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 395 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | auf Bestellung 4099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon | IRF1404ZSTRLPBF MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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