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SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

auf Bestellung 3715 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.07 EUR
10+	8.82 EUR
100+	6.41 EUR
500+	6.07 EUR
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IMBF170R450M1XTMA1

Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.08 EUR
10+	9.5 EUR
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100+	6.89 EUR
500+	6.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBF170R450M1XTMA1

Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.59 EUR
21+	11.11 EUR
100+	8.31 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IMBF170R450M1XTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBF170R650M1

MOSFET

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IMBF170R650M1XTMA1

Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1042 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.83 EUR
500+	5.72 EUR
1000+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	7.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1042 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.74 EUR
27+	8.72 EUR
100+	5.83 EUR
500+	5.72 EUR
1000+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

auf Bestellung 1944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.02 EUR
10+	7.31 EUR
100+	5.3 EUR
500+	4.84 EUR
1000+	4.52 EUR

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IMBF170R650M1XTMA1

Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.88 EUR
10+	7.94 EUR
50+	6.25 EUR
100+	5.71 EUR
500+	5.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBF170R650M1XTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5812 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	13.74 EUR
18+	9.88 EUR
50+	8.58 EUR
100+	7.88 EUR
200+	7.31 EUR
500+	6.71 EUR
1000+	6.14 EUR
2000+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IMBG120R008M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V

auf Bestellung 1599 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	66.22 EUR
10+	49.72 EUR

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IMBG120R008M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 829 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	57.64 EUR
10+	45.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IMBG120R008M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm

auf Bestellung 3968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	83.72 EUR
5+	68.06 EUR
10+	53.87 EUR
50+	52.8 EUR
100+	51.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R008M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R008M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

auf Bestellung 1043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	70.27 EUR
10+	54.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R008M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	40.61 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R008M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R008M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm

auf Bestellung 3968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	53.87 EUR
50+	52.8 EUR
100+	51.71 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R008M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 829 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	57.64 EUR
10+	44.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	50.71 EUR
10+	39.14 EUR
100+	32.59 EUR
500+	32.07 EUR
1000+	26.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	43.39 EUR
10+	31.64 EUR
100+	29.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	48.12 EUR
10+	34.89 EUR
50+	32.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	34.76 EUR
10+	28.25 EUR
25+	25.97 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	43.24 EUR
50+	39.63 EUR
100+	35.99 EUR
250+	35.26 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	43.39 EUR
10+	30.96 EUR
100+	28.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R012M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	65.35 EUR
5+	53.76 EUR
10+	43.24 EUR
50+	39.63 EUR
100+	35.99 EUR
250+	35.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IMBG120R012M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	34.76 EUR
10+	27.63 EUR
25+	25 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IMBG120R017M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG120R017M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	20.52 EUR
10+	19.73 EUR
25+	18.8 EUR
100+	17.91 EUR
250+	17.17 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IMBG120R017M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R017M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	35.56 EUR
10+	25.32 EUR
50+	22.37 EUR

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IMBG120R017M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm

auf Bestellung 415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	46.98 EUR
7+	37.57 EUR
10+	29.07 EUR
50+	26.51 EUR
100+	23.94 EUR
250+	23.48 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IMBG120R017M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R017M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	37.87 EUR
10+	27.06 EUR
100+	22.3 EUR
500+	21.93 EUR
1000+	20.56 EUR

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IMBG120R017M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	20.52 EUR
10+	19.3 EUR
25+	18.11 EUR
100+	16.96 EUR
250+	15.85 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R017M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R017M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm

auf Bestellung 415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	29.07 EUR
50+	26.51 EUR
100+	23.94 EUR
250+	23.48 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IMBG120R022M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	25.47 EUR
10+	18.59 EUR
100+	15.39 EUR
1000+	12.47 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm

auf Bestellung 1834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	35.44 EUR
9+	28.29 EUR
10+	21.85 EUR
50+	20.3 EUR
100+	18.74 EUR
250+	18.37 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.43 EUR
25+	14.63 EUR
100+	13.83 EUR
250+	13.05 EUR
500+	12.3 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.13 EUR
10+	20.55 EUR
100+	17.61 EUR
1000+	16.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	25.47 EUR
10+	19 EUR
100+	15.97 EUR
1000+	13.17 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.77 EUR
25+	15.18 EUR
100+	14.6 EUR
250+	14.15 EUR
500+	13.7 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.9 EUR
10+	21.09 EUR
50+	17.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm

auf Bestellung 1834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	21.85 EUR
50+	20.3 EUR
100+	18.74 EUR
250+	18.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R022M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm

auf Bestellung 451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	28.64 EUR
11+	22.97 EUR
12+	17.86 EUR
50+	17.5 EUR
100+	17.16 EUR
250+	16.79 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.89 EUR
14+	12.89 EUR
25+	12.55 EUR
100+	12.04 EUR
250+	11.63 EUR
500+	11.22 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.89 EUR
14+	12.61 EUR
25+	12.09 EUR
100+	11.4 EUR
250+	10.73 EUR
500+	10.08 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

auf Bestellung 1673 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.98 EUR
10+	19.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.63 EUR
10+	17.92 EUR
50+	14.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R026M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 335W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm

auf Bestellung 451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	28.64 EUR
11+	22.97 EUR
12+	17.86 EUR
50+	17.5 EUR
100+	17.16 EUR
250+	16.79 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R030M1HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V

auf Bestellung 1077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.35 EUR
10+	20.66 EUR
50+	17.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R030M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	29.39 EUR
50+	26.93 EUR
100+	24.47 EUR
250+	23.97 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.

auf Bestellung 2331 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	17.62 EUR
100+	16.51 EUR
500+	15.29 EUR
1000+	14.13 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	25.92 EUR
10+	18.34 EUR
25+	17.34 EUR
50+	16.52 EUR
100+	13.45 EUR
250+	12.88 EUR
500+	12.19 EUR
1000+	11.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

auf Bestellung 686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.38 EUR
10+	25.41 EUR
100+	21.17 EUR
500+	18.87 EUR
1000+	17.64 EUR

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IMBG120R030M1HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	14.26 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	45.01 EUR
7+	36.83 EUR
10+	29.39 EUR
50+	26.93 EUR
100+	24.47 EUR
250+	23.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.

auf Bestellung 10900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	17.62 EUR
100+	16.51 EUR
500+	15.29 EUR
1000+	14.13 EUR
10000+	13.09 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

SiC MOSFETs SIC DISCRETE

auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.98 EUR
10+	16.61 EUR
100+	13.83 EUR
500+	12.34 EUR
1000+	11.52 EUR

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IMBG120R034M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.83 EUR
25+	9.32 EUR
100+	8.82 EUR
250+	8.32 EUR
500+	7.84 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 548 Stücke:

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1+	21.19 EUR
10+	14.66 EUR
100+	11.44 EUR

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IMBG120R034M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	25.87 EUR
11+	20.05 EUR
50+	18.37 EUR
100+	16.71 EUR
250+	16.36 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	32.33 EUR
9+	25.87 EUR
11+	20.05 EUR
50+	18.37 EUR
100+	16.71 EUR
250+	16.36 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R034M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.06 EUR
25+	9.67 EUR
100+	9.31 EUR
250+	9.02 EUR
500+	8.73 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IMBG120R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG120R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.64 EUR
19+	9.35 EUR
25+	9.01 EUR
100+	8.66 EUR
250+	8.39 EUR
500+	8.13 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IMBG120R040M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.22 EUR
10+	14.63 EUR
50+	11.8 EUR
100+	10.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm

auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	24.69 EUR
12+	19.44 EUR
15+	14.73 EUR
50+	13.09 EUR
100+	11.44 EUR
250+	11.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.64 EUR
19+	9.15 EUR
25+	8.68 EUR
100+	8.2 EUR
250+	7.75 EUR
500+	7.29 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

auf Bestellung 316 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.5 EUR
10+	13.45 EUR
100+	10.45 EUR
1000+	9.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	9.19 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm

auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	24.69 EUR
12+	19.44 EUR
15+	14.73 EUR
50+	13.09 EUR
100+	11.44 EUR
250+	11.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R040M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R045M1H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	12.19 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R045M1HXTMA1

Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	12.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R045M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 981 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	21.98 EUR
11+	16.15 EUR
100+	13.59 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R045M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	27.69 EUR
11+	21.96 EUR
13+	16.79 EUR
50+	15.68 EUR
100+	14.54 EUR
250+	14.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG120R045M1HXTMA1