Produkte > IMB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 189A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V | auf Bestellung 1599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 189A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 144A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 144A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V | auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 87A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V | auf Bestellung 848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 87A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V | auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V | auf Bestellung 3620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V | auf Bestellung 1224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V | auf Bestellung 1603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA | auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |