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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF1405PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405SPBFInternational RectifierTO-263 (D2Pak) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+2.67 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+2.67 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.37 EUR
10+4.14 EUR
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.93 EUR
10+3.87 EUR
100+2.82 EUR
500+2.36 EUR
800+2.18 EUR
2400+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF1405STRRPBF
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZIR09+ SOP20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZLIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZL-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO263CA-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263CA-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
50+3.93 EUR
100+3.57 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.34 EUR
100+2.2 EUR
250+2.07 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.5 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.5 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFIRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.5 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.62 EUR
50+3.89 EUR
100+3.53 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.5 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
auf Bestellung 9 Stücke:
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IRF1405ZPBF
Produktcode: 35347
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
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IRF1405ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF1405ZSIR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1405ZS-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF1405ZS-7P
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1405ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1405ZSPBFIR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPB
Produktcode: 196482
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInternational RectifierN-CH 55V 75A D2PAK Транзистори
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IRF1405ZSTRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1405ZSTRLPBF - IRF1405 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 151888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
158+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4780 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 4,9 мОм @ 75 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 151888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+2.78 EUR
500+2.47 EUR
1000+2.22 EUR
10000+1.93 EUR
100000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.9mOhm, D2PAK, -55...+175 Транзистори
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407-HXYHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; IRF1407 HXY MOSFET TIRF1407 HXY
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1407; SP001564238; IRF1407-ML MOSLEADER TIRF1407 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407LIR08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407LPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBF
Produktcode: 24062
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 90 St.
  • 2 St. - stock Köln
  • 88 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.16 EUR
10+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.36 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInternational RectifierT0220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.44 EUR
50+2.7 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.81 EUR
2000+1.69 EUR
5000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.16 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.25 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.1 EUR
39+1.86 EUR
44+1.64 EUR
50+1.52 EUR
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.1 EUR
10+3.31 EUR
100+2.29 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.36 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.16 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.73 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInternational RectifierDescription: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.36 EUR
63+2.31 EUR
100+1.96 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRF1407SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF1407S
Produktcode: 52433
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1407STRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1407STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.78 EUR
1600+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF
Produktcode: 107266
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.05 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.72 EUR
800+1.56 EUR
2400+1.51 EUR
4800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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