Produkte > MUN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MUN5112T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 11390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Manufacturer standard package: 3000pcs. Current gain: 60...100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 467900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5112T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | auf Bestellung 13240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 447 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5112T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 202 mW | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5113 | MOT | SOT-323 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1 | auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5113DW1T1 - MUN5113DW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5113DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Resistor - Base (R1): 47kOhm DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 187mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | auf Bestellung 7788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5113DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5113DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | auf Bestellung 10834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5113DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Resistor - Base (R1): 47kOhm DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 187mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1 | ON | SOT323 | auf Bestellung 5944 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ON | 09+ | auf Bestellung 291018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5113T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 190000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5113T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 190000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5113T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 676 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3 | ON | 0403+ SOT23-5 | auf Bestellung 16100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5113T3G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 209850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5113T3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 16538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5113T3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 209850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114 | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 18661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 13559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 366379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 24250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 24250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 13559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114RT1 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5114T1 | ON | 2001 | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 11609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 238161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 195000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 16161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 11609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON | 07+; | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 14900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5114T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115D | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5115DW | auf Bestellung 2197 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5115DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5115DW1T1G | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | auf Bestellung 274666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8013 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; 10kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 10kO, 8 kO Dual PNP Bias Resistor Transistors (BRT) | auf Bestellung 7830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5115T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 33000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5115T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5115T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12020 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 2077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5115T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5115T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 73000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5115T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 32543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5116DW1T1 | MOT | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5770 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 8535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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