Produkte > RN1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1114 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| RN1114(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114(TE85L) | TOSHIBA | SOT423-XQ | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114(TE85L) SOT423-XQ | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| RN1114(TE85L)SOT416-XQ | TOSHIBA | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| RN1114,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1kohm 10kohm 50V .1A SOT-416 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz | auf Bestellung 6394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 7515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 7515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114TE85LSOT416-XQ | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 | auf Bestellung 2783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor | auf Bestellung 11609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 2.2Kohms x 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR | auf Bestellung 8795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV,L3F(B | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW | auf Bestellung 9815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116 | TOSHIBA | 07+ SOT-523 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | auf Bestellung 10170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 7390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116-XT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| RN1116F | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| RN1116MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 4.7kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3XGF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116XT | TOSHIBA | SOT-423 | auf Bestellung 12100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117(T5L,F,T) | Toshiba | Digital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117(T5LFT)CT | Toshiba | RN1117(T5LFT)CT RN1117(T5L,F,T) TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 10kohm 4.7kohm 0.1A SOT-416 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV | Toshiba | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV(TL3,T) | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN1118(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 10kohm 0.1A SOT-416 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV,L37F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft Inc. | Description: CONN JACK MONO 6.35MM R/A Packaging: Bulk Features: Mounting Hardware Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 2 Contacts Internal Switch(s): Does Not Contain Switch Signal Lines: Mono Termination: Solder Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone Part Status: Active | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN111PC Produktcode: 213789
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Audio, Video (außer HDMI, DVI) | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Phone Connectors 2C ENCLOSED 1/4" | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 39mH/path CURRENT-COMPENSATED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 39MH 400MA 2LN TH Inductance @ Frequency: 39 mH @ 1 kHz Part Status: Obsolete DC Resistance (DCR) (Max): 1.67Ohm (Typ) Current Rating (Max): 400mA (Typ) Voltage Rating - AC: 250V Height (Max): 0.508" (12.90mm) Approval Agency: UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 27mH 1400mOhm Horizontal Choke | auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 27MH 400MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 400mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.4Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.4A 1.4Ohm DCR Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 39mH 1500mOhm Horizontal Choke | auf Bestellung 2324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | TE Connectivity | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 39mH; -30%, +50%; 0.4A; 1.5R; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-0.4-02-39M Schaffner Inductor D RN112-0.4-02-39M Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 39mH 1500mOhm Horizontal Choke | auf Bestellung 3523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.4-02-39M - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 39mH, 400mA, Produktreihe RN, radial tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 39mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 39MH 400MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 400mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.5Ohm (Typ) Inductance @ Frequency: 39 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 5695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.4-02-39M. - FILTER, COMMON MODE, 39MH, 0.4A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: No Induktivität: 39mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 400mA isCanonical: Y hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 27MH 500MA 2LN TH Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz Part Status: Obsolete DC Resistance (DCR) (Max): 1.25Ohm (Typ) Current Rating (Max): 500mA (Typ) Voltage Rating - AC: 250V Height (Max): 0.508" (12.90mm) Approval Agency: UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-0.5/02 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-15M | TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK | Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - RN112-0.5-02-15M - RADIAL LEADED COMMON MODE CHOKES tariffCode: 85480090 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
