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RN1113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1113,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 50V 0.1A SOT-416
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RN1113,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.5 EUR
10+0.45 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.099 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RN1113/XP
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113MFV,L37FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
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RN1114(TE85L)TOSHIBASOT423-XQ
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114(TE85L) SOT423-XQTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114(TE85L)SOT416-XQTOSHIBA
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 1kohm 10kohm 50V .1A SOT-416
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
105+0.2 EUR
169+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV,L3F(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3165+0.056 EUR
3461+0.051 EUR
3473+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 7515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.48 EUR
878+0.26 EUR
1401+0.15 EUR
2106+0.1 EUR
2689+0.08 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 7515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.48 EUR
878+0.26 EUR
1401+0.15 EUR
2106+0.1 EUR
2689+0.08 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114TE85LSOT416-XQTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
auf Bestellung 11609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
14+0.21 EUR
100+0.099 EUR
1000+0.074 EUR
3000+0.067 EUR
9000+0.057 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 2.2Kohms x 10Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115MFV,L3FToshibaDigital Transistors BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR
auf Bestellung 8795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.42 EUR
13+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2500+0.082 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115MFV,L3F(BToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW
auf Bestellung 9815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.062 EUR
2942+0.06 EUR
5000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116TOSHIBA07+ SOT-523
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
45+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116,LF(CTToshibaDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
17+0.19 EUR
100+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.046 EUR
24000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RN1116,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
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RN1116,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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RN1116,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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RN1116,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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6+0.54 EUR
10+0.48 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
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RN1116-XT
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RN1116F
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RN1116MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm
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RN1116MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
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RN1116MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms
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RN1116MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 4.7kohm
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RN1116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.048 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN1116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.048 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN1116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1211+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
3425+0.063 EUR
4000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
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RN1116MFV,L3XGF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1178+0.15 EUR
1435+0.12 EUR
1681+0.1 EUR
2037+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116XTTOSHIBASOT-423
auf Bestellung 12100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1117(T5L,F,T)ToshibaDigital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117(T5LFT)CTToshibaRN1117(T5LFT)CT RN1117(T5L,F,T) TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
84+0.25 EUR
124+0.17 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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RN1117(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
957+0.19 EUR
1241+0.14 EUR
1380+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 957 Stücke
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RN1117(TE85L,F)ToshibaТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 10kohm 4.7kohm 0.1A SOT-416 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117MFVToshibaDigital Transistors
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117MFV(TL3,T)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RN1117MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
183+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1117MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
33+0.64 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 10kohm 0.1A SOT-416 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1119MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1119MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1119MFV,L37FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1119MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN111PCSwitchcraftConn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN111PC
Produktcode: 213789
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Audio, Video (außer HDMI, DVI)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN111PCSwitchcraftConn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN111PCSwitchcraftPhone Connectors 2C ENCLOSED 1/4"
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.5 EUR
10+6.85 EUR
25+6.12 EUR
100+5.81 EUR
300+5.37 EUR
1000+4.94 EUR
2500+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN111PCSwitchcraftConn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.43 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN111PCSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK MONO 6.35MM R/A
Features: Mounting Hardware
Packaging: Bulk
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 2 Contacts
Internal Switch(s): Does Not Contain Switch
Signal Lines: Mono
Termination: Solder
Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone
Part Status: Active
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.16 EUR
10+6.95 EUR
25+6.51 EUR
50+6.2 EUR
100+5.9 EUR
300+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN112-0.4-02SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 0.4A 39mH/path CURRENT-COMPENSATED
Produkt ist nicht verfügbar
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