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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJ488EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
10+2.44 EUR
100+1.94 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 6073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 20968 Stücke:
Lieferzeit 740-744 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.7 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 6073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
68+2.49 EUR
70+2.32 EUR
74+2.12 EUR
100+1.82 EUR
250+1.69 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.98 EUR
25+2.81 EUR
100+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.98 EUR
9000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ488EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+2.02 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N and P CH 40V (D-S)
auf Bestellung 42036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 55037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ500EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8A 48W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
85+2.76 EUR
124+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.19 EUR
6000+1.12 EUR
9000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
124+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ504EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK DUAL CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1/BE3VishayArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_BE3VishayMOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 11893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
103+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.11 EUR
6000+1.04 EUR
9000+1 EUR
15000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 49684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+2.32 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.12 EUR
6000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
80+2.9 EUR
113+1.9 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.55 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.43 EUR
130+1.32 EUR
131+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 43402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.89 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
128+1.68 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.02 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
94+2.49 EUR
128+1.68 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.02 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
12+1.83 EUR
100+1.43 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ570EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 27W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36.5mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 27W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ740EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ740EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ740EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ740EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
auf Bestellung 3566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+3.17 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ740EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ742EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 88W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2449pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ742EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 88W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2449pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ746ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ746EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.05 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ748EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.87 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ764ELP-T1_GE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ768ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.34 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
3000+0.95 EUR
9000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ840EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ840EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ840EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ840EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 23688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.78 EUR
100+1.26 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848AEP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848EPT1-GE3
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 7949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+3 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.98 EUR
100+1.99 EUR
250+1.98 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
10+2.37 EUR
100+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 51235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.15 EUR
6000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
auf Bestellung 5666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
12+1.8 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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