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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J355R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J355R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
443+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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SSM3J355R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
443+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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SSM3J355R,LF(TToshiba
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SSM3J355RLF(TToshibaMOSFETs
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SSM3J356RToshiba
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SSM3J356R LXHFToshibaMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.27 EUR
988+0.18 EUR
998+0.17 EUR
1096+0.14 EUR
1214+0.13 EUR
1363+0.11 EUR
1551+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 172490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
51+0.42 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.18 EUR
1096+0.15 EUR
1214+0.14 EUR
1363+0.12 EUR
1551+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 998 Stücke
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SSM3J356R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
auf Bestellung 62117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3J356R,LF
Produktcode: 202544
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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SSM3J356R,LFToshibaMOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 21638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
439+0.52 EUR
524+0.4 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1556+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 22423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
439+0.52 EUR
524+0.4 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXGF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 10V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
auf Bestellung 7149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.52 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHF(BToshibaSSM3J356R,LXHF(B
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.29 EUR
643+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
453+0.48 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
453+0.48 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356RLXGF(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358RToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10, Qg, нКл = 38,5 @ 8 В, Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2497 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
auf Bestellung 219511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshibaSMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
auf Bestellung 31853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.6 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LF
Produktcode: 168844
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J358R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
827+0.21 EUR
971+0.18 EUR
1016+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 827 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J358R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0221ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 11631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
367+0.63 EUR
575+0.37 EUR
770+0.27 EUR
1500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J358RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.071 EUR
15000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.24 EUR
100+0.11 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
auf Bestellung 16359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.26 EUR
132+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2289+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 2289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 31583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
482+0.37 EUR
665+0.26 EUR
672+0.25 EUR
1250+0.13 EUR
1263+0.12 EUR
1500+0.098 EUR
2681+0.052 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 482 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 31583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1263+0.14 EUR
1500+0.12 EUR
2681+0.064 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.045 EUR
15000+0.044 EUR
30000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
auf Bestellung 272000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.076 EUR
24000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
auf Bestellung 59249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.09 EUR
2500+0.077 EUR
8000+0.058 EUR
24000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
auf Bestellung 274886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
78+0.27 EUR
109+0.19 EUR
125+0.17 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM
auf Bestellung 23495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1556+0.11 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
10000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 1556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
910+0.25 EUR
1454+0.14 EUR
2526+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 19300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2009+0.088 EUR
2021+0.087 EUR
2370+0.073 EUR
8000+0.063 EUR
16000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2009 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFVL3F(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
auf Bestellung 12175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
106+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3FToshibaMOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 SOT-883-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST
auf Bestellung 9640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3F(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 9184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.61 EUR
667+0.35 EUR
1067+0.2 EUR
2005+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 9184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
667+0.35 EUR
1067+0.2 EUR
2005+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.31 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.099 EUR
10000+0.077 EUR
20000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
659+0.27 EUR
662+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 659 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
652+0.27 EUR
654+0.26 EUR
657+0.25 EUR
659+0.24 EUR
662+0.23 EUR
665+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 652 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
776+0.3 EUR
1091+0.2 EUR
1475+0.14 EUR
1687+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
776+0.3 EUR
1091+0.2 EUR
1475+0.14 EUR
1687+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.065 EUR
16000+0.058 EUR
24000+0.056 EUR
40000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
auf Bestellung 64429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS(T5L,F,T)ToshibaMOSFET Small-Signal MOSFETs Single
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
auf Bestellung 277141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
16+0.21 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 12365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.49 EUR
538+0.32 EUR
543+0.31 EUR
1309+0.12 EUR
1322+0.12 EUR
1378+0.11 EUR
1924+0.073 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 141637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
98+0.21 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaP-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 330mA; 150mW; SSM
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 633 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH