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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7855PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
83+2.02 EUR
90+1.81 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855PBF (Transistor)
Produktcode: 49589
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 9,4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1560/26
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.51 EUR
10+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
auf Bestellung 6926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
50+2.28 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 499 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 14189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
250+2.01 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
81+2.07 EUR
115+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.86 EUR
4000+0.81 EUR
8000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55///+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
auf Bestellung 25663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.45 EUR
4000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 14189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
74+3.15 EUR
250+2.01 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
81+2.12 EUR
115+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.09 EUR
2000+0.95 EUR
4000+0.92 EUR
8000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.67 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
8000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
auf Bestellung 8051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.11 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.76 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
8000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
120+1.94 EUR
166+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.29 EUR
170+1.01 EUR
200+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInternational RectifierN-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
110+2.12 EUR
143+1.51 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1IR07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1-TR
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1GPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8-118-0.65 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRIR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRPBFIR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7901D2
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904IR05+ SOP-8;
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFIR05+ QFP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
108+2.17 EUR
149+1.45 EUR
500+1.23 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.88 EUR
100+1.38 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
130+1.32 EUR
200+1.2 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
105+2.21 EUR
152+1.42 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905PBFInternational Rectifier2N-Ch 30V 7.8A 8.9A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A
auf Bestellung 7593 Stücke:
Lieferzeit 269-273 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+2.09 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
127+1.83 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBF
Produktcode: 111317
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
127+1.83 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
250+1.58 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
8000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
99+2.37 EUR
250+1.58 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
121+1.42 EUR
200+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
8000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.58 EUR
50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910IRSO-8
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7910PBFInfineon / IRMOSFET 12V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 17nC
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF7910TR
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRInfineon / IRMOSFET
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