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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7902Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904IR05+ SOP-8;
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFIR05+ QFP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
108+2.17 EUR
149+1.45 EUR
500+1.23 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
130+1.32 EUR
200+1.2 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
105+2.21 EUR
152+1.42 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.88 EUR
100+1.38 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7904TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905PBFInternational Rectifier2N-Ch 30V 7.8A 8.9A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
127+1.83 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBF
Produktcode: 111317
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A
auf Bestellung 7593 Stücke:
Lieferzeit 269-273 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+2.09 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
127+1.83 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
250+1.58 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
8000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 34399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.56 EUR
50+1.15 EUR
100+1.04 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
121+1.42 EUR
200+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
99+2.37 EUR
250+1.58 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
8000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7907TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.61 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7910IRSO-8
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7910PBFInfineon / IRMOSFET 12V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 17nC
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TR
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7910TRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7910TRBF
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7923TRPBFIOR
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
73+2.38 EUR
100+2.25 EUR
200+2.18 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
auf Bestellung 58515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.49 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 198A 1.5mOhm 141nC StrongIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
60+3.9 EUR
100+2.59 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7MS2907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7MS2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+543.38 EUR
10+521.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+887.26 EUR
10+852.53 EUR
25+792.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMSCXInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010International RectifierN-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.87 EUR
224+0.75 EUR
391+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF
Produktcode: 25040
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
100+2.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
84+2 EUR
100+1.75 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
53+3.28 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
84+2.05 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+1.96 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
84+2.78 EUR
100+2.19 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.27 EUR
82+2.07 EUR
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IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF8010SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
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IRF8010SPBFInternational RectifierTO-263 Транзистори
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