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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
JAN2N2219AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Jan2N2219A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2219ALMICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN2N2219ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
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JAN2N2219ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2219AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2219SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2219SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2220MOTOROLA
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2220AMOTOROLA
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2221MOTOROLA
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N2221AMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221AMOTOROLA
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Jan2N2221A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N2221ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221ALMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2221AUAMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jan2N2221AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N2221AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2221AUBMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2221AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2221AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222Microsemi
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-218
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
100+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AMICROSEMITO-18/ NPN TRANSISTOR 2N2222A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
100+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2222A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.36 EUR
100+12.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222ALMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222ALMICROSEMITO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jan2N2222AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222APMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222APMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222APMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUAMICROSEMIUA/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUAMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 650mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.65W
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUA/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
100+9.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Non-Standard
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBMICROSEMIUB/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Non-Standard
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUB/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBPMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBPMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N2222AUBPMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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JAN2N2222AUBP/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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JAN2N2222AUBP/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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JAN2N2222AUBP/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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JAN2N2323Microchip TechnologyDescription: SCR 50V TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 50 V
Qualification: MIL-PRF-19500/276
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JAN2N2323AMicrochip TechnologyDescription: SCR 50V TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA
Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 50 V
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JAN2N2323ASMicrochip TechnologyDescription: SCR 50V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA
Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 50 V
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JAN2N2323ASMicrochip / MicrosemiSCRs SCR
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JAN2N2323AU4Microsemi CorporationDescription: SCR 50V U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: U4
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 50 V
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Jan2N2323SMicrochip TechnologyDescription: SCR 50V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 50 V
Qualification: MIL-PRF-19500/276
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