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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
659+0.26 EUR
662+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 659 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.18 EUR
1007+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
776+0.3 EUR
1091+0.2 EUR
1475+0.14 EUR
1687+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
776+0.3 EUR
1091+0.2 EUR
1475+0.14 EUR
1687+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.065 EUR
16000+0.058 EUR
24000+0.056 EUR
40000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 64429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS(T5L,F,T)ToshibaMOSFET Small-Signal MOSFETs Single
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
auf Bestellung 280306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 157149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
98+0.21 EUR
113+0.19 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaP-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 12365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.46 EUR
538+0.31 EUR
543+0.29 EUR
1309+0.12 EUR
1322+0.11 EUR
1378+0.1 EUR
1924+0.069 EUR
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 633 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 330mA; 150mW; SSM
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36FSLF(BToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36MFV(TL3,T)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -.33A -20V -8VGSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
auf Bestellung 9353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
auf Bestellung 9353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
auf Bestellung 8725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
40+0.52 EUR
100+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.64 EUR
382+0.43 EUR
415+0.38 EUR
419+0.36 EUR
780+0.19 EUR
788+0.18 EUR
975+0.14 EUR
1330+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371RToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R LXHFToshiba P CHAN 20V SOT-23F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
47+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
auf Bestellung 25366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.61 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXGF(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.5 EUR
401+0.42 EUR
463+0.36 EUR
516+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
auf Bestellung 9582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.58 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXHF(BToshiba P CHAN 20V SOT-23F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
424+0.55 EUR
663+0.32 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
424+0.55 EUR
663+0.32 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J371RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshibaMOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LF
Produktcode: 178119
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A
auf Bestellung 20991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 247860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 248779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
63+0.33 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LF(BToshibaSSM3J372R,LF(B
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1085+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 8271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
1086+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 8271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
1086+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXGFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 53977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.67 EUR
310+0.54 EUR
365+0.43 EUR
405+0.38 EUR
451+0.32 EUR
514+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXGFToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 11877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
399+0.58 EUR
477+0.45 EUR
592+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 11877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
399+0.58 EUR
477+0.45 EUR
592+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
921+0.19 EUR
1077+0.15 EUR
1137+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 921 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
auf Bestellung 16655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.57 EUR
313+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.57 EUR
313+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372RLXGF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
542+0.31 EUR
824+0.2 EUR
1079+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 542 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
auf Bestellung 29781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.65 EUR
100+0.38 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LF(BToshibaSSM3J374R,LF(B
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.63 EUR
280+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
auf Bestellung 10355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.64 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
24000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
34+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
40+0.52 EUR
100+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
auf Bestellung 6245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.79 EUR
315+0.52 EUR
318+0.5 EUR
321+0.48 EUR
534+0.27 EUR
682+0.2 EUR
689+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaMOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
auf Bestellung 3966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.58 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 P-CH 20V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377RToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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