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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.58 EUR
313+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.58 EUR
313+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J372RLXGF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
542+0.32 EUR
824+0.2 EUR
1079+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 542 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
auf Bestellung 29781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.65 EUR
100+0.38 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LF(BToshibaSSM3J374R,LF(B
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.65 EUR
280+0.62 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
auf Bestellung 10355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.64 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
24000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
34+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
40+0.52 EUR
100+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
auf Bestellung 6245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.81 EUR
315+0.54 EUR
318+0.51 EUR
321+0.49 EUR
534+0.29 EUR
682+0.21 EUR
689+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHFToshibaMOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
auf Bestellung 3966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.58 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 P-CH 20V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R
Produktcode: 189169
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377RToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
auf Bestellung 8407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.38 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LF
Produktcode: 192928
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
49+0.44 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
auf Bestellung 12499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.42 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(BToshibaSSM3J377R,LXHF(B
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
838+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 838 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshibaSMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshibaMOSFET P-CHAMMEL VDSS:-20V VGSS:-8/+6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
43+0.5 EUR
100+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.39 EUR
452+0.38 EUR
556+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.27 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaAECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
auf Bestellung 94200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
35+0.61 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)ToshibaMOSFET Small Sig FET 1.5V Low RDS 250mOhm
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
auf Bestellung 25072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
938+0.19 EUR
947+0.18 EUR
1698+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 4151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaMOSFETs Nch MOSFET
auf Bestellung 15576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.49 EUR
475+0.36 EUR
479+0.35 EUR
938+0.17 EUR
947+0.15 EUR
1698+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(BToshibaSSM3J56ACT,L3F(B
auf Bestellung 9078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.37 EUR
502+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.48 EUR
487+0.35 EUR
590+0.27 EUR
710+0.23 EUR
854+0.18 EUR
1015+0.14 EUR
1257+0.11 EUR
1456+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
487+0.36 EUR
590+0.3 EUR
710+0.24 EUR
854+0.19 EUR
1015+0.17 EUR
1257+0.13 EUR
1456+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 487 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACTL3F(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
362+0.46 EUR
366+0.45 EUR
873+0.18 EUR
882+0.17 EUR
1467+0.094 EUR
3000+0.093 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.14 EUR
16000+0.13 EUR
40000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
873+0.2 EUR
892+0.19 EUR
1467+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.09 EUR
15000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 873 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 43954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A
auf Bestellung 12581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 17897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.69 EUR
366+0.46 EUR
386+0.43 EUR
740+0.21 EUR
844+0.18 EUR
1096+0.13 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
auf Bestellung 26774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
41+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
auf Bestellung 15112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 6611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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