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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF840LCSPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+3.89 EUR
100+3.25 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBFVISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSTRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSTRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSTRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LPBFIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840NIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.5 EUR
2000+1.36 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+2.67 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 156105
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.75 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 8336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.38 EUR
10+5.51 EUR
50+4.28 EUR
100+3.89 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.05 EUR
76+2.26 EUR
100+2.09 EUR
250+1.88 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 221455
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vishayTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 500 В
Sättigungsspannung Vce, V: 8 А
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 0,85 Ом
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 1300/63 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: THT
auf Bestellung: 200 St.
  • 200 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.3 EUR
10+1.15 EUR
100+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
70+3.34 EUR
100+2.31 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 12 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 486000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.5 EUR
2000+1.39 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 31523
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.49 EUR
10+1.34 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishay SiliconixN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 182602
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
Montage: THT
auf Bestellung: 181 St.
  • 181 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.33 EUR
10+1.19 EUR
100+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFIRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.89 EUR
41+2.09 EUR
47+1.83 EUR
61+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.21 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IR
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
79+2.13 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
79+2.19 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
70+3.32 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.03 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
58+4.03 EUR
64+3.37 EUR
73+2.95 EUR
100+2.62 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840RUHarris CorporationDescription: 7A, 450V, 0.85OHM, N-CHANNEL, PO
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.34 EUR
50+2.55 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
80+2.93 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
100+2.11 EUR
250+1.98 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 125,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 62 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
105+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF
Produktcode: 82665
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,84 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 166 St.
  • 166 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.33 EUR
57+1.51 EUR
64+1.34 EUR
100+1.31 EUR
250+1.24 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+2.4 EUR
100+2.05 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF
Produktcode: 188626
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFTO263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.82 EUR
74+2.19 EUR
104+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+3.77 EUR
100+2.59 EUR
500+2.48 EUR
800+2.23 EUR
2400+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.53 EUR
50+3.5 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRPBFIR
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+4.46 EUR
100+3.12 EUR
500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBF
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.53 EUR
50+3.5 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF841Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF841HARRISIRF841
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF841 TO-220AB
Produktcode: 46011
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF842Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF843HARRISIRF843
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF843Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF843HARRISIRF843
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IRF8513Infineon Technologies
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IRF8513PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
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IRF8513PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF8513PBF
Produktcode: 26536
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
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IRF8513TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
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IRF8513TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8513TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A
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IRF8520IRMODULE
auf Bestellung 94 Stücke:
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IRF8707Infineon Technologies
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IRF8707IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8707GPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC
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IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC
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IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
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