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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
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MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.92 EUR
211+0.8 EUR
278+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
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MJE344STTO-126
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
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MJE3440STTO-126
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.88 EUR
225+0.75 EUR
277+0.58 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.01 EUR
200+0.84 EUR
254+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE344GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
85+1.01 EUR
97+0.88 EUR
133+0.64 EUR
151+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340) Транзистори
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJE350MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.78 EUR
219+1.06 EUR
262+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350Microchip / Microsemi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350On SemiconductorPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE340) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 85261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.87 EUR
201+0.83 EUR
224+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
auf Bestellung 6328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
50+1.8 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.08 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 85261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.87 EUR
202+0.86 EUR
224+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.37 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350ON SemiconductorТранзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350
Produktcode: 34450
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Spannung Uce, V: 300 В
Spannung Ucb, V: 300 В
Strom Ic, A: 0,5 А
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350On SemiconductorPower 0.5A 300V PNP Silicon Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
115+1.46 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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MJE350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
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MJE350STMPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, TO-126 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.56 EUR
328+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJE350 = KSE350STU
Produktcode: 30696
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-127
Spannung Uce, V: 300 V
Spannung Ucb, V: 300 V
Strom Ic, A: 0,5 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
auf Bestellung 9466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON-SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GOn SemiconductorPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA Pb Free Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 10994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
311+0.54 EUR
313+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.57 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.59 EUR
82+1.05 EUR
93+0.92 EUR
124+0.69 EUR
200+0.62 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
131+1.78 EUR
197+1.09 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350G
Produktcode: 112488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 10982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.56 EUR
312+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350MJE340
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1920 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350 /MJE340ON09+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE371ON09+
auf Bestellung 20148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE371onsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE371ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
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MJE371 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.62 EUR
25+3.44 EUR
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MJE371 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MJE371(Transistor)
Produktcode: 92550
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MJE371G
Produktcode: 131917
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
224+0.75 EUR
254+0.64 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.77 EUR
254+0.68 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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MJE371GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
auf Bestellung 1991 Stücke:
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2+2.48 EUR
10+1.39 EUR
100+1.11 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
143+1.18 EUR
182+0.89 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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MJE371GOn SemiconductorТранзистори
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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MJE371GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
13+1.62 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJE3O55T
auf Bestellung 8658 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE4343Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE4343onsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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MJE4343onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
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MJE4343
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4343GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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MJE4343GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+7.47 EUR
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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MJE4343GON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MJE4353ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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MJE4353onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
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MJE4353onsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4353Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4353GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4353GonsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE4353G
Produktcode: 106227
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE5050
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE520
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE520Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE520 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE520 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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