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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF949T E6700INFINEONSOT423-RI
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF949T E6700 SOT423-RIINFINEON
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF949TE6700SOT423-RIINFINEON
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510HARRISIRF9510
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRF9510 TIRF9510
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
313+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510HARRISIRF9510
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510
Produktcode: 57715
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 21 St.
  • 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.75 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
236+0.73 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
auf Bestellung 76270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.64 EUR
100+1.14 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.23 EUR
128+0.67 EUR
138+0.62 EUR
143+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
145+1.17 EUR
204+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.19 EUR
191+0.88 EUR
236+0.69 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
137+1.24 EUR
199+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
153+1.52 EUR
225+0.95 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
199+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.11 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.23 EUR
100+1.61 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510R4941Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510S
Produktcode: 51368
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
83+2.81 EUR
117+1.83 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.52 EUR
50+2.69 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRL
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
50+3.42 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.92 EUR
100+2.43 EUR
500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
84+2.78 EUR
113+1.9 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRRIORTO263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9511Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9512HARRISIRF9512
auf Bestellung 4060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+1.4 EUR
515+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9512Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 4060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
371+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520HARRISIRF9520
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.44 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520HARRISIRF9520
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.44 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520
Produktcode: 57604
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100
Drain-Strom Id, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,600 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/16
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1 EUR
10+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520N
Produktcode: 30166
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 6,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/27
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NInternational RectifierP-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NL
Produktcode: 50677
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 6,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 480 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /27
Montage: THT
auf Bestellung: 6 St.
  • 6 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.17 EUR
162+1.04 EUR
182+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR >= 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9520NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.48 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=6.8A@T=25C, Id=4.8A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
179+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF
Produktcode: 149959
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.79 EUR
10+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.07 EUR
182+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSInternational RectifierP-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRF9520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF9520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF9520PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25, Qg, нКл = 18, Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 60 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 29 Stücke:
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IRF9520PBF
Produktcode: 154193
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
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1+0.64 EUR
10+0.58 EUR
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IRF9520PBF
Produktcode: 32841
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9520PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -27A
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IRF9520PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9520PBFVishayMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Транзистори
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IRF9520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
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IRF9520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1116 Stücke:
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10+2.14 EUR
100+1.39 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
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IRF9520PBF
Produktcode: 123233
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Vishay / SiliconixTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
Montage: THT
auf Bestellung: 18 St.
  • 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
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IRF9520PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9520PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
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IRF9520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
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IRF9520SSiliconixP-MOSFET 6,8A 100V 60W 0.6? IRF9520S smd TIRF9520s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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