Produkte > mmb

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 18 36 54 72 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 108 126 144 162 180 183  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT7002DWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 0.8A
Drain current: 0.115A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1667+0.1 EUR
2841+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N
auf Bestellung 6718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 4719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
794+0.11 EUR
1223+0.069 EUR
1645+0.051 EUR
1887+0.045 EUR
3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
807+0.31 EUR
1219+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
2689+0.08 EUR
3077+0.069 EUR
5000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.055 EUR
27000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDIOTECTransistor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,3A; 0,35W; N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate MMBT7002K DIOTEC TMMBT7002k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2310+0.075 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
807+0.31 EUR
1219+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
2689+0.08 EUR
3077+0.069 EUR
5000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1884+0.092 EUR
2584+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1884 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.23 EUR
1165+0.14 EUR
1884+0.084 EUR
2584+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 4181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
137+0.15 EUR
222+0.094 EUR
500+0.068 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
110+0.19 EUR
155+0.13 EUR
179+0.12 EUR
500+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2740+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 2740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 13415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
25+0.13 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
3000+0.071 EUR
9000+0.057 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
auf Bestellung 3412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
705+0.12 EUR
1211+0.07 EUR
1894+0.045 EUR
2223+0.038 EUR
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002K-QDiotec SemiconductorMOSFET Field Effect Transistor (MOSFETs), SOT-23, 60V, 0.3A, N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
690+0.33 EUR
1103+0.19 EUR
1495+0.14 EUR
1690+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorSMD MOSFET
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1108+0.15 EUR
1292+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
391+0.21 EUR
635+0.13 EUR
911+0.094 EUR
1062+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
690+0.33 EUR
1103+0.19 EUR
1495+0.14 EUR
1690+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
532+0.15 EUR
830+0.1 EUR
1092+0.077 EUR
1211+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
553+0.42 EUR
658+0.32 EUR
827+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 7273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.35 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMMBT7002KDW-AQ
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1684+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1684 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
12+0.29 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-323 N 60V 0.3A 1.6 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.3W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
516+0.17 EUR
915+0.093 EUR
1417+0.06 EUR
1613+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-323 N 60V 0.3A 1.6 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, N, 0.25W Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2115+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 2115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002LT1GON2005 SOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT733
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT733LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT733PST
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050ST06+ SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050(GD)
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050(HY1C)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050-HY1C
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: NPN SIGNAL TRANSISTOR,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050/855008+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050/D9D/SS8050ST05+ SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT80509(J3y)
auf Bestellung 900000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050C
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050CBEC
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050CLT1G
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050CY1
auf Bestellung 612000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DSEMTECK10+ SOT23
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DGOODWORKDescription: NPN500mA 25V 300mW SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D(0.6A)
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D(1.5A)GOODWORKDescription: PNP 1.5A 25V 300mW SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D(S8050D)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D1.5A
auf Bestellung 711000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D1.5AY5
auf Bestellung 636000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DBEC
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DD9D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DLT1STSOT23
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DLT1GD9D
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LT1
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LT1GON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LTI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LTIG
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050Y1
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8051J3Y
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099Lonsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099L
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1240+0.14 EUR
1252+0.13 EUR
1598+0.1 EUR
1796+0.09 EUR
3301+0.049 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GNXP/Nexperia/We-EnТранзистор NPN (Uce=80V, Ic=0.5A, P=250mW, hfe>40 , f>400MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.38 EUR
792+0.21 EUR
854+0.19 EUR
1240+0.12 EUR
1252+0.12 EUR
1598+0.088 EUR
1796+0.075 EUR
3301+0.04 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1G
Produktcode: 95963
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3832+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3832 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
auf Bestellung 5558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3145+0.055 EUR
6000+0.052 EUR
12000+0.05 EUR
27000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GONS/FAITRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.082 EUR
15000+0.076 EUR
21000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 18 36 54 72 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 108 126 144 162 180 183  [ Nächste Seite >> ]