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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF9620SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620SPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 3.5A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.46 EUR
100+1.85 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5 EUR
10+3.26 EUR
100+2.27 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5 EUR
10+3.26 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 3.5A P-CH MOSFET
auf Bestellung 8375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.64 EUR
800+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9621Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9622
Produktcode: 30496
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 3
Rds(on),Om: 2.4
Ciss, pF/Qg, nC: 350/16
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9622Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9622156HARRISIRF9622156
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9622156Harris CorporationDescription: 3A, 200V, 2.4OHM, P-CHANNEL, POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630HARRISIRF9630
auf Bestellung 5927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630HARRISIRF9630
auf Bestellung 6479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630(TO-220) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630HARRISIRF9630
auf Bestellung 7730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 28039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
186+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9630; IRF9630-BE3; IRF9630 JSMICRO TIRF9630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630HARRISIRF9630
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630
Produktcode: 67392
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Id,A: 4
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 700/29
/: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.55 EUR
    10+0.49 EUR
    100+0.42 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630HARRISIRF9630
    auf Bestellung 7473 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    244+2.25 EUR
    500+2.09 EUR
    1000+1.94 EUR
    Mindestbestellmenge: 244 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630International Rectifier/InfineonP-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1989 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    75+1.93 EUR
    108+1.32 EUR
    500+1.03 EUR
    1000+0.92 EUR
    Mindestbestellmenge: 75 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishay SiliconixP-Channel 200V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412100
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 74W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    auf Bestellung 301 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    87+1.68 EUR
    99+1.47 EUR
    103+1.38 EUR
    500+1.17 EUR
    1000+0.96 EUR
    Mindestbestellmenge: 87 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 612 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+5.95 EUR
    50+3.01 EUR
    100+2.73 EUR
    500+2.23 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 800 мОм @ 3,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 210 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    97+1.51 EUR
    103+1.4 EUR
    Mindestbestellmenge: 97 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -200V
    Drain current: -4A
    Power dissipation: 74W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.8Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 29nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Pulsed drain current: -26A
    auf Bestellung 194 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    39+1.86 EUR
    49+1.46 EUR
    65+1.12 EUR
    100+1 EUR
    Mindestbestellmenge: 39 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBF
    Produktcode: 98685
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    auf Bestellung 4 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF9630PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
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    IRF9630PBFTO220 Транзистори
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    IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF9630PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    62+2.39 EUR
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    250+2.12 EUR
    500+1.99 EUR
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    IRF9630PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
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    100+1.53 EUR
    500+1.29 EUR
    1000+1.16 EUR
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    5000+1.03 EUR
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    IRF9630PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF9630PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB
    tariffCode: 85412100
    Transistormontage: Through Hole
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 74W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: P Channel
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    directShipCharge: 25
    SVHC: Lead
    auf Bestellung 42 Stücke:
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    		 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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    IRF9630PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1580 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.09 EUR
    50+2.56 EUR
    100+2.31 EUR
    500+1.88 EUR
    1000+1.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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    IRF9630SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRF9630SSiliconixP-MOSFET 6.5A 200V IRF9630S IRF9630STRL IRF9630S TIRF9630s
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 90 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+2.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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    IRF9630SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9630SPBF
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    IRF9630SТранзистори
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    IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 440 Stücke:
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    279+0.53 EUR
    Mindestbestellmenge: 279 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -200V
    Drain current: -4A
    Power dissipation: 74W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.8Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 29nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Pulsed drain current: -26A
    auf Bestellung 270 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    23+3.19 EUR
    29+2.5 EUR
    33+2.2 EUR
    50+1.69 EUR
    100+1.56 EUR
    250+1.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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    IRF9630SPBF
    Produktcode: 176782
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    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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    IRF9630SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2489 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.42 EUR
    50+2.74 EUR
    100+2.48 EUR
    500+2.02 EUR
    1000+1.87 EUR
    2000+1.77 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 3696 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    83+1.77 EUR
    1000+1.73 EUR
    2000+1.64 EUR
    Mindestbestellmenge: 83 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 74W
    Bauform - Transistor: TO-263AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    auf Bestellung 2813 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
    auf Bestellung 1140 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+5.83 EUR
    10+2.96 EUR
    100+2.66 EUR
    500+2.34 EUR
    1000+2.16 EUR
    2000+2.08 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 3700 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    38+3.94 EUR
    83+1.7 EUR
    1000+1.62 EUR
    2000+1.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 38 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 270 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    48+3.09 EUR
    71+2.04 EUR
    Mindestbestellmenge: 48 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRL
    Produktcode: 103281
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    		VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Verlustleistung Pd: 74W
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 74W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: p-Kanal
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    SVHC: Lead (19-Jan-2021)
    auf Bestellung 800 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
    auf Bestellung 657 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+5.83 EUR
    10+3.82 EUR
    100+2.66 EUR
    500+2.08 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFТранзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 541 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    28+5.25 EUR
    50+3.39 EUR
    500+3.16 EUR
    Mindestbestellmenge: 28 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2400 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    800+2.05 EUR
    1600+1.91 EUR
    2400+1.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 83 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 83 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -200V
    Drain current: -4A
    Power dissipation: 74W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.8Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 29nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Pulsed drain current: -26A
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 541 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    31+4.73 EUR
    45+3.23 EUR
    100+1.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 31 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2818 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.81 EUR
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    IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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    IRF9630STRR
    Produktcode: 103282
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    IRF9630STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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    IRF9630STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
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    IRF9632Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
    auf Bestellung 455 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    171+2.6 EUR
    Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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    IRF9632HARRISIRF9632
    auf Bestellung 345 Stücke:
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    226+2.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 226 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9633Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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    IRF9640Vishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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    IRF9640L
    auf Bestellung 2172 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRF9640LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640LPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -200V
    Drain current: -6.8A
    Pulsed drain current: -44A
    Power dissipation: 125W
    Case: I2PAK; TO262
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.5Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 44nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640NS
    auf Bestellung 800 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 114 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    84+1.76 EUR
    100+1.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 84 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640PBF
    Produktcode: 123234
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		SiliconixTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220AB
    Uds,V: 200 V
    Id,A: 11 А
    Rds(on),Om: 0,05 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
    /: THT
    auf Bestellung 55 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
    auf Bestellung 1933 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.17 EUR
    10+1.94 EUR
    100+1.49 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.3 EUR
    2000+1.29 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9640PBFJSMSEMIMOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
    auf Bestellung 318 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4+1.26 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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