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DI200N04D2Diotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 200A, 1.6m?, 150C
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DI200N04D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 40V 200A
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5832 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.87 EUR
100+2.69 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.28 EUR
100+2.39 EUR
500+2.28 EUR
5000+1.86 EUR
10000+1.83 EUR
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DI200N10D2DiotecMOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3 Транзистори
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DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DI200N10D2Diotec SemiconductorMOSFETs
auf Bestellung 778 Stücke:
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1+6.75 EUR
10+3.08 EUR
100+2.49 EUR
800+2.12 EUR
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DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
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DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.5 EUR
52+4.55 EUR
100+3.17 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+3.2 EUR
25+2.92 EUR
100+2.62 EUR
250+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DI200S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DI2010S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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DI201S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI204S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI206S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI208S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DI212N14TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 140V; 212A; Idm: 848A; 277W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 140V
Drain current: 212A
Power dissipation: 277W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 848A
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DI212N14TL-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 140V; 212A; Idm: 848A; 277W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 140V
Drain current: 212A
Power dissipation: 277W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 848A
Application: automotive industry
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DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Current Rating (Amps): 8 A
Inductance: 300 nH
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Material - Core: Ferrite
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Drum Core, Wirewound
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
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DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Current Rating (Amps): 8 A
Inductance: 300 nH
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Material - Core: Ferrite
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Drum Core, Wirewound
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
auf Bestellung 5626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.81 EUR
100+2.34 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.01 EUR
2000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 4156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+4.77 EUR
25+4.05 EUR
50+3.55 EUR
100+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10LairdPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
auf Bestellung 7030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+4.82 EUR
25+3.61 EUR
100+3.19 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.06 EUR
2000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird TechnologiesPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
auf Bestellung 7595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+4.82 EUR
25+3.61 EUR
100+3.19 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.06 EUR
2000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI225MN/A
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI255N04PQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 40V, 255A, 1.1m, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.71 EUR
100+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
27+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
265+0.88 EUR
396+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
327+0.26 EUR
376+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 184A; Idm: 1.039kA; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 184A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.039kA
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 260A, 1.5?, 175C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04PQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 40V, 260A, 0.8m, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 260A; Idm: 1040A; 79W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8mΩ
Drain current: 260A
Pulsed drain current: 1040A
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04PQ-AQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 40V, 260A, 0.8m, 175C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.94 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
10+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 425W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
38+6.2 EUR
100+3.94 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
auf Bestellung 4284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.6 EUR
10+6.14 EUR
100+4.32 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.12 EUR
2000+2.87 EUR
4000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorMOSFETs
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.92 EUR
100+1.75 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N80D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 4.5A; 54W
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4.5A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 9.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N80D1-AQDiotec Semiconductor DPAK, N, 800V, 2.2A, 4.8, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N80D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 4.5A; 54W
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4.5A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 9.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A8N03PWK2Diotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A8N03PWK2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C, AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.21 EUR
12000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH