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DI200N04D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N04D2-DIO SMD N channel transistors
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DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
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1+3.66 EUR
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DI200N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI200N04PQ-DIO SMD N channel transistors
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DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 100V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V
auf Bestellung 197 Stücke:
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DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N10D2-DIO SMD N channel transistors
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DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
auf Bestellung 950 Stücke:
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DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
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DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
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DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
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DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
auf Bestellung 5626 Stücke:
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1+3.80 EUR
10+2.36 EUR
100+1.97 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.68 EUR
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DI2220V301R-10LAIRDInductor Power Shielded Wirewound 0.3uH 10% 2MHz 8A 0.01Ohm DCR 2220 Automotive T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 10077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+3.09 EUR
25+2.63 EUR
50+2.31 EUR
100+2.02 EUR
250+1.66 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DI2220V301R-10Steward09+ SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
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DI225MN/A
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
auf Bestellung 3165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.23 EUR
355+0.20 EUR
405+0.18 EUR
425+0.17 EUR
450+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
320+0.23 EUR
355+0.20 EUR
405+0.18 EUR
425+0.17 EUR
450+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
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DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
520+0.28 EUR
569+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
auf Bestellung 3029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+0.59 EUR
100+0.51 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.25 EUR
8000+0.23 EUR
24000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DI260N04D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 184A; Idm: 1.039kA; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.039kA
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 184A; Idm: 1.039kA; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.039kA
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORDI280N10TL-DIO SMD N channel transistors
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DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+4.52 EUR
100+3.19 EUR
500+3.08 EUR
2000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.90 EUR
10+4.54 EUR
100+3.20 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFET, TOLL, 100V, 280A, 150C, N
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1KDIOTEC SEMICONDUCTORDI2A2N100D1K-DIO SMD N channel transistors
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DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorMOSFETs
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.40 EUR
10+2.66 EUR
100+1.59 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.53 EUR
2500+1.35 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1K-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI2A2N100D1K-AQ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDIOTEC SEMICONDUCTORDI2A7N70D1K-DIO SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.62 EUR
100+0.97 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, DPAK, N, 700V, 2.7A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A8N03PWK2DIOTEC SEMICONDUCTORDI2A8N03PWK2-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH