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DI200N04D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N04D2-DIO SMD N channel transistors
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DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
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DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N10D2-DIO SMD N channel transistors
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DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
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DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
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DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
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DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
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DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
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DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 16000 Stücke:
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2000+2.46 EUR
4000+ 2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DI2220V301R-10LAIRDInductor Power Shielded Wirewound 0.3uH 10% 2MHz 8A 0.01Ohm DCR 2220 Automotive T/R
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DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
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15+ 3.48 EUR
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500+ 2.7 EUR
1000+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
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DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
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5+5.56 EUR
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250+ 2.88 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DI225MN/A
auf Bestellung 394 Stücke:
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DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 15...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
auf Bestellung 3295 Stücke:
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320+0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
405+ 0.18 EUR
440+ 0.16 EUR
465+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 320
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.71 EUR
2000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 15...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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320+0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 320
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
auf Bestellung 3634 Stücke:
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48+1.09 EUR
61+ 0.86 EUR
102+ 0.51 EUR
1000+ 0.49 EUR
2000+ 0.43 EUR
4000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 48
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
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DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.59 EUR
10+ 16.09 EUR
100+ 9.65 EUR
500+ 9.54 EUR
1000+ 9.26 EUR
2000+ 8.16 EUR
4000+ 7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.96 EUR
10+ 8.37 EUR
100+ 6.77 EUR
500+ 6.02 EUR
1000+ 5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFET, TOLL, 100V, 280A, 150C, N
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DI2A2N100D1K-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
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DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.04 EUR
22+ 2.39 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.37 EUR
2500+ 1.21 EUR
5000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
DI2A7N70D1KDiotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, DPAK, N, 700V, 2.7A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Produkt ist nicht verfügbar
DI2A7N70D1KDIOTEC SEMICONDUCTORDI2A7N70D1K-DIO SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DI2A8N03PWK2DIOTEC SEMICONDUCTORDI2A8N03PWK2-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar