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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DI200N04D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 40V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5832 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N04D2Diotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 200A, 1.6m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+2.76 EUR
100+2.01 EUR
500+1.92 EUR
5000+1.56 EUR
10000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5 EUR
10+3.25 EUR
100+2.26 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N10D2-DIO SMD N channel transistors
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.05 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
2400+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 100V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200N10D2DIOTECDescription: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
auf Bestellung 5626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.36 EUR
100+1.97 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10LAIRDInductor Power Shielded Wirewound 0.3uH 10% 2MHz 8A 0.01Ohm DCR 2220 Automotive T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 6370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+3.01 EUR
25+2.57 EUR
50+2.26 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird TechnologiesPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
auf Bestellung 4153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+3.01 EUR
25+2.25 EUR
100+1.99 EUR
2000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI225MN/A
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
auf Bestellung 2712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.54 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
520+0.27 EUR
569+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDIOTECDescription: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORDI2579N-DIO NPN SMD transistors
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
271+0.26 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI260N04D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 260A, 1.5?, 175C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDIOTECDescription: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
auf Bestellung 4284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+4.38 EUR
100+3.73 EUR
500+3.41 EUR
2000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDIOTECDescription: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFET, TOLL, 100V, 280A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.51 EUR
10+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.13 EUR
10+2.46 EUR
100+1.48 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorMOSFETs
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.45 EUR
100+1.47 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.05 EUR
5000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N100D1K-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N80D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 4.5A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 4.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A2N80D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 4.5A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 9.6nC
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 4.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A7N70D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.7A; Idm: 6A; 34.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 34.4W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Version: ESD
Pulsed drain current: 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A8N03PWK2Diotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI2A8N03PWK2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C, AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.56 EUR
100+0.35 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
4000+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH