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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.33 EUR
10+120.67 EUR
120+72.37 EUR
510+71.65 EUR
1020+69.40 EUR
2520+61.35 EUR
5010+57.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.50 EUR
24+3.10 EUR
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-4L, N-FAST, 650 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/152ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 7.5Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.77 EUR
10+6.42 EUR
30+5.39 EUR
120+4.45 EUR
270+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF119H00-00B0AmphenolTH349G39GDSN DIOD-LINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.76 EUR
120+27.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDIF120SIC022
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+96.63 EUR
3+84.37 EUR
10+76.28 EUR
30+69.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+150.85 EUR
10+117.94 EUR
120+70.73 EUR
510+70.03 EUR
1020+67.83 EUR
2520+59.96 EUR
5010+56.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.18 EUR
30+83.69 EUR
120+63.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC022-AQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+62.93 EUR
120+62.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+62.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC022-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+112.31 EUR
3+99.76 EUR
10+90.57 EUR
30+79.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+344.66 EUR
10+269.46 EUR
100+161.62 EUR
500+160.00 EUR
1000+154.99 EUR
2500+137.00 EUR
5000+128.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.96 EUR
30+72.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDIF120SIC028
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+55.29 EUR
10+48.12 EUR
30+42.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 73-77 Tag (e)
1+154.33 EUR
10+120.67 EUR
120+72.37 EUR
510+71.65 EUR
1020+69.40 EUR
2520+61.35 EUR
5010+57.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.71 EUR
30+31.14 EUR
120+30.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDIF120SIC053
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.94 EUR
10+17.27 EUR
30+15.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.36 EUR
10+49.53 EUR
120+29.71 EUR
510+29.41 EUR
1020+28.49 EUR
2520+25.19 EUR
5010+23.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.07 EUR
30+9.54 EUR
120+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.16 EUR
6+12.28 EUR
7+11.63 EUR
30+11.61 EUR
120+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.16 EUR
6+12.28 EUR
7+11.63 EUR
30+11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC053-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+50.89 EUR
10+44.02 EUR
30+39.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.20 EUR
10+100.21 EUR
100+60.10 EUR
500+59.51 EUR
1000+57.66 EUR
2500+50.97 EUR
5000+47.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.58 EUR
30+28.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC053-AQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF156H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF170SIC049Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3046 pF @ 1000 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.18 EUR
30+20.98 EUR
120+19.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF175H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF184H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF198H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF20SHINDENGEN1808
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFBA2002S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 9396 SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1187.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFBA3003S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 93128 SWITC
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESS 2 CLICKMIKROECategory: Add-on boards
Description: Click board; prototype board; Comp: SPD31; pressure sensor
Kit contents: prototype board
Interface: I2C
Size: M
Type of accessories for development kits: Click board
Kind of module: pressure sensor
Components: SPD31
Kind of connector: mikroBUS connector
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESS 2 CLICKMIKROECategory: Add-on boards
Description: Click board; prototype board; Comp: SPD31; pressure sensor
Kit contents: prototype board
Interface: I2C
Size: M
Type of accessories for development kits: Click board
Kind of module: pressure sensor
Components: SPD31
Kind of connector: mikroBUS connector
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESS 3 CLICKMIKROEMIKROE-5771 Add-on boards
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESS 4 CLICKMIKROEMIKROE-5868 Add-on boards
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+106.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESS CLICKMIKROECategory: Add-on boards
Description: Click board; prototype board; Comp: MPXV7007DP; pressure sensor
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Kit contents: prototype board
Interface: I2C
Size: M
Type of accessories for development kits: Click board
Kind of module: pressure sensor
Components: MPXV7007DP
Kind of connector: mikroBUS connector
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+69.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESS CLICKMIKROECategory: Add-on boards
Description: Click board; prototype board; Comp: MPXV7007DP; pressure sensor
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Kit contents: prototype board
Interface: I2C
Size: M
Type of accessories for development kits: Click board
Kind of module: pressure sensor
Components: MPXV7007DP
Kind of connector: mikroBUS connector
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+69.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFF PRESSURE CLICKMIKROEMIKROE-2387 Add-on boards
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT AMPLIFIER
Packaging: Box
Amplifier Type: Difference
Board Type: Partially Populated
Utilized IC / Part: 8-DIP Package
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.83 EUR
5+32.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsAmplifier IC Development Tools DIFFAMP-EVM
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Type of accessories for development kits: amplifier
Kit contents: module; wire jumpers
Interface: Grove Interface (4-wire)
Manufacturer series: Grove
Mounting: screw
Information: product is not a working device, but only component
Integrated circuit: INA132
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Type of accessories for development kits: amplifier
Kit contents: module; wire jumpers
Interface: Grove Interface (4-wire)
Manufacturer series: Grove
Mounting: screw
Information: product is not a working device, but only component
Integrated circuit: INA132
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIFS4
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH