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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DIF065SIC020DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+222.03 EUR
5+183.69 EUR
10+148.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.21 EUR
10+39.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Power dissipation: 550W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 300A
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+40.76 EUR
5+35.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+136.77 EUR
5+113.15 EUR
10+91.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 105A
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+27.38 EUR
5+23.51 EUR
10+21.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 385W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 52ns
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065DIOTECDescription: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.15 EUR
25+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-4L, N-FAST, 650 V,
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Power - Max: 385 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Test Condition: 400V, 75A, 7.5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.35mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/152ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.63 EUR
10+7.64 EUR
30+6.41 EUR
120+5.3 EUR
270+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+190.15 EUR
5+157.31 EUR
10+127.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec ElectronicsDIF120SIC022
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+70.89 EUR
5+63.14 EUR
10+58.51 EUR
30+50.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.34 EUR
10+34.09 EUR
510+33.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.57 EUR
30+34.13 EUR
120+32.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+46.34 EUR
5+39.29 EUR
30+35.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC022-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+124.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+406.65 EUR
10+317.93 EUR
120+190.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+122.17 EUR
30+93.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+75.59 EUR
5+70.69 EUR
30+66.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+539.66 EUR
5+446.44 EUR
10+361.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+224.41 EUR
5+185.64 EUR
10+150.37 EUR
50+147.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec ElectronicsDIF120SIC028
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+56.29 EUR
10+52.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+169.1 EUR
10+132.2 EUR
120+79.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.96 EUR
30+39.4 EUR
120+38.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+39.81 EUR
5+34.38 EUR
10+31.06 EUR
30+28.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+55.53 EUR
6+45.95 EUR
10+37.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec ElectronicsDIF120SIC053
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.84 EUR
10+32.71 EUR
120+19.62 EUR
510+14.58 EUR
1020+14.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.12 EUR
30+12.02 EUR
120+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 121nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+30.14 EUR
5+27.7 EUR
10+26.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
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DIF120SIC053-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC053-AQ
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DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs
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DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
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1+48.5 EUR
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DIF156H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
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DIF170SIC049DIOTECDescription: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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10+32.11 EUR
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250+24.89 EUR
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DIF170SIC049Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3046 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
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1+41.66 EUR
30+26.5 EUR
120+24.47 EUR
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DIF175H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
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DIF184H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DIF198H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DIF20SHINDENGEN1808
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DIFBA2002S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 9396 SWITCH
Accessory Type: Air Inlet
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Packaging: Bulk
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1+1412.82 EUR
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DIFBA3003S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 93128 SWITC
Accessory Type: Air Inlet
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Packaging: Bulk
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT AMPLIFIER
Channels per IC: 1 - Single
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 8-DIP Package
Board Type: Partially Populated
Amplifier Type: Difference
Packaging: Box
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
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4+49.22 EUR
5+38.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsAmplifier IC Development Tools DIFFAMP-EVM
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1+69.64 EUR
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
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DIFFERENTIAL AMPLIFIERSEEED STUDIOCategory: Add-on boards
Description: Amplifier; module,wire jumpers; Grove; screw; IC: INA132
Type of accessories for development kits: amplifier
Kit contents: module; wire jumpers
Interface: Grove Interface (4-wire)
Application - series/manufacturer: Grove
Mounting: screw
Information: product is not a working device, but only component
Integrated circuit: INA132
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Diffuse Reflective Through-beam type laser Sensor
Produktcode: 213618
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DIFS4
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