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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.66 EUR
5+38.42 EUR
10+36.34 EUR
30+33.33 EUR
120+31.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+41.66 EUR
5+38.42 EUR
10+36.34 EUR
30+33.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.33 EUR
10+120.67 EUR
120+72.37 EUR
510+71.65 EUR
1020+69.4 EUR
2520+61.35 EUR
5010+57.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.94 EUR
5+22.88 EUR
10+20.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.94 EUR
5+22.88 EUR
10+20.89 EUR
30+17.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065DIOTEC SEMICONDUCTORDIF075F065-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
16+4.46 EUR
1020+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065DIOTECDescription: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF075F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-4L, N-FAST, 650 V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/152ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 7.5Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.77 EUR
10+6.42 EUR
30+5.39 EUR
120+4.45 EUR
270+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF119H00-00B0AmphenolTH349G39GDSN DIOD-LINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC022-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+53.88 EUR
3+27.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec ElectronicsDIF120SIC022
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+59.57 EUR
5+51.91 EUR
10+47.35 EUR
30+39.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.4 EUR
10+94.12 EUR
120+56.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.18 EUR
30+28.68 EUR
120+27.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC022-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+104.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+341.72 EUR
10+267.17 EUR
120+160.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.66 EUR
30+78.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC022-AQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC022-AQ THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+57.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC028-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec ElectronicsDIF120SIC028
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.3 EUR
10+43.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.1 EUR
10+111.09 EUR
120+66.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.39 EUR
30+33.11 EUR
120+32.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053DIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec ElectronicsDIF120SIC053
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.16 EUR
10+27.49 EUR
120+16.49 EUR
510+12.25 EUR
1020+11.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.91 EUR
30+10.1 EUR
120+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053DIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC053-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.32 EUR
6+12.27 EUR
7+11.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDIF120SIC053-AQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDIF120SIC053-AQ THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.17 EUR
4+22.85 EUR
30+22.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec ElectronicsDIF120SIC053-AQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+40.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+133.46 EUR
10+104.35 EUR
120+62.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.76 EUR
30+30.57 EUR
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DIF156H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
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DIF170SIC049DIOTECDescription: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
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DIF170SIC049Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3046 pF @ 1000 V
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.01 EUR
30+22.27 EUR
120+20.56 EUR
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DIF175H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
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DIF184H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
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DIF198H00-00D0Amphenol Advanced SensorsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
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DIF20SHINDENGEN1808
auf Bestellung 1289 Stücke:
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DIFBA2002S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 9396 SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1187.24 EUR
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DIFBA3003S00SPanduit CorpDescription: INLET DUCT FOR CISCO 93128 SWITC
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cisco Cabinets
Accessory Type: Air Inlet
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DIFF PRESS 4 CLICKMIKROEMIKROE-5868 Add-on boards
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+107.54 EUR
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DIFF PRESS CLICKMIKROEMIKROE-3332 Add-on boards
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT AMPLIFIER
Packaging: Box
Amplifier Type: Difference
Board Type: Partially Populated
Utilized IC / Part: 8-DIP Package
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
auf Bestellung 7 Stücke:
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4+41.36 EUR
5+32.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsAmplifier IC Development Tools DIFFAMP-EVM
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.52 EUR
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DIFFAMP-EVMTexas InstrumentsINA105/INA106/INA132/INA133/INA134/INA137/INA134/INA592 Special Purpose Amplifier Evaluation Board
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Diffuse Reflective Through-beam type laser датчик
Produktcode: 213618
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DIFS4
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