Produkte > FDU
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||
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| FDU044AN03L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R13M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.13uH 20% 100KHz Metal 23A 0.0013Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R13M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.13uH 1.3mOhm 27.6A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R24M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.24uH 2mOhms 20A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R39M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.39uH 2.6mOhm 16.3A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R56M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R56M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R56M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.56uH 3.2mOhm 14.2A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-H-R82M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.82uH 4.2mOhm 11.5A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU0650-R56M=P3 | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU068AN03L | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU068AN03L | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 2514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU10008D | O1 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU1040-R36M | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU1040D-H-R56M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.56uH 1.4mOhms 23A +/-20% | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1040D-H-R68M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.68uH 1.7mOhms 20A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1040D-H-R88M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.88uH 2.3mOhms 17A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1040D-R36M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.36uH 1.02mOhms 29A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1040D-R88M=P3 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU1050D-1R5M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 1.5uH +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1050D-H-R60M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 4040 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1050D-R60M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.6uH +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1060-1R4M=P3 | auf Bestellung 264616 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU1250-R56M=P3 | TOKO | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU1250C-H-1R0M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 1.0uH 2.2mOhms 23.5A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-1R0M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 21.2A 0.0022Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-1R5M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 1.5uH 3.6mOhms 17.9A +/-20% | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-1R5M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 1.5uH 20% 100KHz Metal 18.2A 0.0036Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-R50M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.5uH 1.3mOhms 34A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-R50M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.5uH 20% 100KHz Metal 27.2A 0.0013Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-R56M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.56uH 1.6mOhms 32A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-R56M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 25.7A 0.0016Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-R75M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.75uH 20% 100KHz Metal 25.2A 0.0017Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1250C-H-R75M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.75uH 1.7mOhm 24.5A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1260-H-R45M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.45uH 0.6mOhm 36.3A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU1260-R45M=P3 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU15PSG3E | FCT Electronics | D-Sub Dualport Connectors D-SHELL CONNECTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU2572 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | auf Bestellung 8614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3580 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V | auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU3706 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N40TU | ONSEMI | FDU3N40TU THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N40TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N40TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N40TU | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU3N40TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDU3N40TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 5050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N40TU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N50NZTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | auf Bestellung 8980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU3N50NZTU | onsemi | MOSFET UNIFET2 500V NCH I | auf Bestellung 3458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU3N50NZTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU3N50NZTU | ON Semiconductor | auf Bestellung 5010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU3N50NZTU | ON Semiconductor | N-Channel UniFET II MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU5N50NZTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | auf Bestellung 13509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU5N50NZTU | ON Semiconductor | auf Bestellung 5010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU5N50NZTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU5N50NZTU | onsemi | MOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU5N60NZTU | ON Semiconductor | MOSFET UNIFET2 600V NCH I | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU5N60NZTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU5N60NZTU | ON Semiconductor | auf Bestellung 5010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU6030BL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6030BL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V | auf Bestellung 3525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6296 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6296 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU6512A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6512A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6512A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V | auf Bestellung 1151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6612A | auf Bestellung 10600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU6612A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6612A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6644 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3087 pF @ 15 V | auf Bestellung 39382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6644 | FAIRCHILD | 04+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6670AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 3585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6676AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V | auf Bestellung 1708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6680 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A IPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6680 | FAIRCHILD | 07+ 251 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6680A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6680A | FSC | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU6682 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 188224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6682_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6688 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6692 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 62804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6692 | FAIRCHILD | 04+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6696 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6N25 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | auf Bestellung 11072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6N25 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Channel UniFET | auf Bestellung 3547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6N50TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6N50TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU6N50TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | auf Bestellung 9586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU6N50TU | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 3968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU7030BL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU7030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU7N60NZTU | Fairchild | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDU7N60NZTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU7N60NZTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU7N60NZTU | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU7N60NZTU | Fairchild | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDU7N60NZTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8580 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8580 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8580 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8586 | FAI | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU8586 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8770 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8770_F071 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8778 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 13 V | auf Bestellung 17805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8780 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 81309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8780 | FAIRCHILD | FDU8780 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDU8780 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V | auf Bestellung 81309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8780 | onsemi / Fairchild | MOSFETs LOW VOLTAGE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8780 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8780 | FAIRCHILD | FDU8780 | auf Bestellung 65340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDU8780 | FAIRCHILD | 06+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8780 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8780_F071 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8782 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8796 | onsemi / Fairchild | MOSFETs LOW VOLTAGE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8796 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8796 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8796 | FAIRCHILD | 06+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8796_F071 | onsemi / Fairchild | MOSFET Trans MOS N-Ch 25V 35A 3-Pin | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8796_F071 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8870 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V | auf Bestellung 65675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8870 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8870 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 65675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8874 | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDU8874 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8874 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8874 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8874 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8874 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8874 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8874_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V,116A,5.1 OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8876 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8876 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8876 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8878 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V | auf Bestellung 48769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8878 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8878 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 48769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8880 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V | auf Bestellung 339186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8880 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8880 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 339186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8880 | FAIRCHILD | TO251 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8880 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8882 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8896 | FAIRCHILD | 07+ 251 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8896 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8896 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDU8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 116991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8896 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V | auf Bestellung 116951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDU8896A TO-251AA (Transistor) Produktcode: 47336
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 № 3: 8541290090 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDU8896_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDU8896_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0630-H-R12M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.12uH 0.58mOhms 33A +/-20% | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0630-H-R24M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.24uH 1.12mOhms 23A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0640-H-KR15M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.15uH 0.61mOhms 25A +/-20% | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0640-H-R24M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.24uH 0.89mOhms 19A +/-20% | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0640-H-R42M=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0640-H-R42M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.42uH 1.48mOhms 15A +/-20% | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0650-H-1R0M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 1.0uH 3.45mOhms 9.8A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0650-H-1R0M=P3 | Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 16A 0.00369Ohm DCR 3026 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0650-H-R60M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.6uH 2.35mOhms 12A +/-20% | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE0650-H-R60M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 18A 0.002464Ohm DCR 3026 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1030D-H-R36M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.36uH 1.1mOhms 22A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040-R45M=P3 | TOKO | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDUE1040D-1R0M=P3 | TOKO | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDUE1040D-H-1R0M=P3 | Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-H-1R0M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 1.0uH 2.35mOhms 16A +/-20% | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDUE1040D-H-1R0M=P3 | Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-H-1R0M=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND 1UH 18A 2.515 MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -20°C ~ 100°C DC Resistance (DCR): 2.515mOhm Max Current - Saturation (Isat): 16A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 18 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-H-R22M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.22uH 0.64mOhms 32A +/-20% | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-H-R22M=P3 | Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 32A 0.00068Ohm DCR 4440 T/R | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDUE1040D-H-R36M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.36uH 0.79mOhms 25A +/-20% | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-H-R45M=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-H-R45M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.45uH 1.02mOhms 24A +/-20% | auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1040D-R36M=P3 | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDUE1040D-R45M=P3 | TOKO | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| FDUE1245-H-1R5M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 1.5uH 2.26mOhms 17A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1245-H-2R2M=P3 | Murata | Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 17A 0.0036Ohm DCR 4848 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1245-H-2R2M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 2.2uH 3.4mOhms 14A +/-20% | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1245-H-R50M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1245-H-R50M=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1245-H-R72M=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1245-H-R72M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.72uH 1.63mOhms 24A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1260-H-R45N=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1260-H-R45N=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors .45uH .58mOhm, 41.8A 12.7x14.3mm 30% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUE1260-H-R45N=P3 | Murata Electronics | Description: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SLBL | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm) Type: Door | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SLBL | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SLGY | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SLGY | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm) Type: Door | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SLWH | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SLWH | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: White | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SRBL | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SRBL | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm) Type: Door | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SRGY | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SRGY | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm) Type: Door | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SRWH | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: White | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD1545SRWH | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD3045SLWH | Panduit | Electrical Enclosures ODF Front Door, 300mm wide, 45RU tall, S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUFD3045SLWH | Panduit Corp | Description: ODF FRONT DOOR, 300MM WIDE, 45RU Packaging: Bulk Color: White | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUM0640-H-R22M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 30A 0.00086Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUM0640-H-R22M=P3 | Murata Electronics | Inductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 30A 0.00086Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUM0640-H-R22M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.22uH 0.86mOhms 20A +/-20% | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUM0640-H-R36M=P3 | Murata Electronics | Fixed Inductors 0.36uH 1.38mOhms 16A +/-20% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDUSP6 | Panduit Corp | Description: ODF SPOOL - 6-PACK COLOR COORDIN Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Cable Management Accessory Type: Cable Spool | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |