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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDU044AN03LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.13uH 1.3mOhm 27.6A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU0650-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 2mOhms 20A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU0650-H-R39M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.39uH 2.6mOhm 16.3A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 3.2mOhm 14.2A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU0650-H-R82M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.82uH 4.2mOhm 11.5A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU0650-R56M=P3
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU068AN03LON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU068AN03LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU10008DO1
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1040-R36M
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1040D-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.4mOhms 23A +/-20%
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1040D-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 1.7mOhms 20A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1040D-H-R88M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.88uH 2.3mOhms 17A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1040D-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.02mOhms 29A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1040D-R88M=P3
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1050D-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1050D-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1060-1R4M=P3
auf Bestellung 264616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1250-R56M=P3TOKO
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.2mOhms 23.5A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 3.6mOhms 17.9A +/-20%
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.5uH 1.3mOhms 34A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.6mOhms 32A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 1.7mOhm 24.5A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1260-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 0.6mOhm 36.3A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU1260-R45M=P3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU15PSG3EFCT ElectronicsD-Sub Dualport Connectors D-SHELL CONNECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU2572Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 8614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
278+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3706ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
158+1.46 EUR
240+0.89 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.42 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
549+0.32 EUR
559+0.3 EUR
582+0.27 EUR
596+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 549 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
980+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N50NZTUON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU3N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH I
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.46 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 13509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
620+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N50NZTUON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N60NZTUON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N60NZTUON SemiconductorMOSFET UNIFET2 600V NCH I
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6296
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6512AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6512AONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
386+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6612A
auf Bestellung 10600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6612AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6644Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3087 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
auf Bestellung 39382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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FDU6644FAIRCHILD04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDU6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 3585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
386+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
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FDU6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
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FDU6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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FDU6680FAIRCHILD07+ 251
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6680AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
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FDU6680AFSC
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDU6682Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 188224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
489+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 489 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDU6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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FDU6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 62804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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FDU6692FAIRCHILD04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDU6696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
357+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
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FDU6N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 1.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 3952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
235+0.99 EUR
295+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
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FDU6N25ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel UniFET
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6N25Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6N50TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 3968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU6N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
auf Bestellung 9586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
671+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDU7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTUonsemi / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8580onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8580onsemi / FairchildMOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8586FAI
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8586Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8770_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8778Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 17805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
634+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 634 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8780onsemi / FairchildMOSFETs LOW VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8780FAIRCHILDFDU8780
auf Bestellung 65340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1164+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8780ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1145+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU8780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
auf Bestellung 81309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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