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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDU044AN03LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
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FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.13uH 1.3mOhm 27.6A +/-20%
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FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.13uH 20% 100KHz Metal 23A 0.0013Ohm DCR T/R
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FDU0650-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 2mOhms 20A +/-20%
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FDU0650-H-R39M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.39uH 2.6mOhm 16.3A +/-20%
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FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R
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FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 3.2mOhm 14.2A +/-20%
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FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R
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FDU0650-H-R82M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.82uH 4.2mOhm 11.5A +/-20%
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FDU0650-R56M=P3
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU068AN03LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU068AN03LON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
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FDU10008DO1
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU1040-R36M
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU1040D-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.4mOhms 23A +/-20%
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDU1040D-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 1.7mOhms 20A +/-20%
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FDU1040D-H-R88M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.88uH 2.3mOhms 17A +/-20%
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FDU1040D-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.02mOhms 29A +/-20%
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FDU1040D-R88M=P3
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU1050D-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH +/-20%
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FDU1050D-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 4040 T/R
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FDU1050D-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH +/-20%
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FDU1060-1R4M=P3
auf Bestellung 264616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU1250-R56M=P3TOKO
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 21.2A 0.0022Ohm DCR T/R
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FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.2mOhms 23.5A +/-20%
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FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 1.5uH 20% 100KHz Metal 18.2A 0.0036Ohm DCR T/R
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FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 3.6mOhms 17.9A +/-20%
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.5uH 20% 100KHz Metal 27.2A 0.0013Ohm DCR T/R
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FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.5uH 1.3mOhms 34A +/-20%
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FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 25.7A 0.0016Ohm DCR T/R
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FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.6mOhms 32A +/-20%
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FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.75uH 20% 100KHz Metal 25.2A 0.0017Ohm DCR T/R
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FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 1.7mOhm 24.5A +/-20%
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FDU1260-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 0.6mOhm 36.3A +/-20%
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FDU1260-R45M=P3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU15PSG3EFCT ElectronicsD-Sub Dualport Connectors D-SHELL CONNECTOR
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FDU2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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FDU2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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FDU2572Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 8957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
278+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 278
FDU3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
375+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 375
FDU3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
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FDU3706ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
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FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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FDU3N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.98 EUR
30+ 1.75 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27
FDU3N40TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDU3N40TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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FDU3N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
auf Bestellung 4717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.87 EUR
16+ 1.63 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.8 EUR
2000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
549+0.28 EUR
559+ 0.27 EUR
582+ 0.25 EUR
596+ 0.23 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 549
FDU3N50NZTUON SemiconductorN-Channel UniFET II MOSFET
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FDU3N50NZTUON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
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FDU3N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH I
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.05 EUR
29+ 1.81 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDU3N50NZTUON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU5N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON
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FDU5N50NZTUON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
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FDU5N60NZTUON SemiconductorMOSFET UNIFET2 600V NCH I
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FDU5N60NZTUON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU5N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
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FDU6030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
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FDU6030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDU6030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
468+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 468
FDU6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDU6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
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FDU6296
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6512AONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDU6512AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
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FDU6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
386+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 386
FDU6612AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU6612A
auf Bestellung 10600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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FDU6644Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3087 pF @ 15 V
auf Bestellung 41002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
204+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 204
FDU6644FAIRCHILD04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 3585 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
386+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 386
FDU6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1025+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
FDU6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU6680FAIRCHILD07+ 251
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6680AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6680AFSC
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6682Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 188224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
489+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 489
FDU6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
314+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 314
FDU6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 62804 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
235+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 235
FDU6692FAIRCHILD04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU6696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
357+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 357
FDU6N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDU6N25ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel UniFET
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDU6N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDU6N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU6N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
auf Bestellung 9586 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
671+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 671
FDU6N50TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 3968 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU7030BLRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDU7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDU7030BLON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDU7N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDU7N60NZTUonsemi / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
460+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 460
FDU8580onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8580onsemi / FairchildMOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8586FAI
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8586Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8770_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8778Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 13 V
auf Bestellung 17805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
634+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 634
FDU8780FAIRCHILD06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8780ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDU8780onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8780onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
auf Bestellung 81309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
951+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 951
FDU8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8780_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8782Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8796Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
auf Bestellung 504075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8796onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8796ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8796FAIRCHILD06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8796onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8796_F071onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 25V 35A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8796_F071onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8870Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8874
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8874Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
396+2 EUR
Mindestbestellmenge: 396
FDU8874onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8874_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,116A,5.1 OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
auf Bestellung 41569 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
995+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 995
FDU8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8880Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
auf Bestellung 349749 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8880FAIRCHILDTO251
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8882Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8896Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
auf Bestellung 116991 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
451+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 451
FDU8896onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8896FAIRCHILD07+ 251
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDU8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8896A TO-251AA (Transistor)
Produktcode: 47336		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
№ 3: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8896_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDU8896_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE0630-H-R12M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.12uH 0.58mOhms 33A +/-20%
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE0630-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 1.12mOhms 23A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE0640-H-KR15M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.15uH 0.61mOhms 25A +/-20%
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE0640-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 0.89mOhms 19A +/-20%
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE0640-H-R42M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE0640-H-R42M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.42uH 1.48mOhms 15A +/-20%
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE0650-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 3.45mOhms 9.8A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE0650-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 16A 0.00369Ohm DCR 3026 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE0650-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 18A 0.002464Ohm DCR 3026 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE0650-H-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH 2.35mOhms 12A +/-20%
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE1030D-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.1mOhms 22A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1040-R45M=P3TOKO
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDUE1040D-1R0M=P3TOKO
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.35mOhms 16A +/-20%
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.69 EUR
16+ 3.43 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDUE1040D-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 18A 2.515 MOHM SMD
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 18A 2.515 MOHM SMD
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1040D-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1040D-H-R22M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 32A 0.00068Ohm DCR 4440 T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.07 EUR
82+ 1.77 EUR
83+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 76
FDUE1040D-H-R22M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.22uH 0.64mOhms 32A +/-20%
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE1040D-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 0.79mOhms 25A +/-20%
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE1040D-H-R45M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1040D-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 1.02mOhms 24A +/-20%
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE1040D-R36M=P3
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDUE1040D-R45M=P3TOKO
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDUE1245-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 2.26mOhms 17A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1245-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 3.4mOhms 14A +/-20%
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDUE1245-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 17A 0.0036Ohm DCR 4848 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1245-H-R50M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1245-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1245-H-R72M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1245-H-R72M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.72uH 1.63mOhms 24A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors .45uH .58mOhm, 41.8A 12.7x14.3mm 30%
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SLBLPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SLBLPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SLGYPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SLGYPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SLWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SLWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SRBLPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SRBLPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
Produkt ist nicht verfügbar
FDUFD1545SRGYPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
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FDUFD1545SRGYPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
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FDUFD1545SRWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
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FDUFD1545SRWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
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FDUM0640-H-R22M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.22uH 0.86mOhms 20A +/-20%
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FDUM0640-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.38mOhms 16A +/-20%
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