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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDV045P20LON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23
auf Bestellung 171000 Stücke:
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FDV045P20LON Semiconductor / FairchildMOSFET CSP
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDV045P20LON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23
auf Bestellung 173809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530-4R7M
auf Bestellung 580 Stücke:
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FDV0530-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 11.2mOhms 8.4A +/-20%
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDV0530-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 15.5mOhms 5.7A +/-20%
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FDV0530-H-1R5M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6A 0.0199Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.244" L x 0.228" W (6.20mm x 5.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 19.9mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.3A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Not For New Designs
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 6 A
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FDV0530-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6A 0.0199Ohm DCR 2423 T/R
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.79 EUR
94+ 1.61 EUR
95+ 1.47 EUR
128+ 1.05 EUR
250+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 88
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 19.9mOhms 5.3A +/-20%
auf Bestellung 320 Stücke:
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FDV0530-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.33 EUR
480+ 0.31 EUR
481+ 0.3 EUR
489+ 0.27 EUR
505+ 0.25 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 479
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-3R3MP3
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FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 53.6mOhms 3.5A +/-20%
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-4R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
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FDV0530-H-R11M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-R11M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.11uH 1.6mOhm 19.6A +/-20%
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FDV0530-H-R20M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.2uH 2.4mOhm 17.5A +/-20%
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FDV0530-H-R20M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-R36M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 4.1mOhm 12.6A +/-20%
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FDV0530-H-R56M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 6.3mOhm 11.3A +/-20%
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FDV0530-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 7.6mOhm 9.9A +/-20%
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FDV0530-H-R75M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
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FDV0530S-1R0MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
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FDV0530S-1R5MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530S-2R2MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530S-H-1R0M=P3Murata ElectronicsPower Inductors - SMD SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-1R0MP3
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FDV0530S-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-1R5MP3
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FDV0530S-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 4.3A 0.034Ohm DCR 2020 T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.8 EUR
199+ 0.76 EUR
202+ 0.72 EUR
205+ 0.68 EUR
208+ 0.64 EUR
250+ 0.61 EUR
500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 196
FDV0530S-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 4.3A 0.034Ohm DCR 2020 T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.79 EUR
202+ 0.75 EUR
205+ 0.71 EUR
208+ 0.67 EUR
250+ 0.63 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 199
FDV0530S-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 34mOhms 4.5A +/-20%
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDV0530S-H-R12M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.12uH 3.9mOhms 18A +/-20%
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FDV0530S-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 5.6mOhms 13A +/-20%
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FDV0530S-H-R42M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.42uH 9.8mOhms 9A +/-20%
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FDV0530S-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 7.2A 0.012Ohm DCR 2020 T/R
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FDV0530S-H-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH 12mOhms 7.9A +/-20%
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FDV0530S-H-R78M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.78uH 14mOhms 7.1A +/-20%
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FDV0530S-R12MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530S-R24MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530S-R42MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530S-R60MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0530S-R78MTOKOSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0618-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-1R0MP3
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FDV0618-H-1R5N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-1R5NP3
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FDV0618-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 34mOhms 5.3A +/-20%
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FDV0618-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 48mOhms 4.1A +/-20%
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FDV0618-H-R24N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 4.5mOhms 14A +/-30%
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FDV0618-H-R35N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.35uH 6.8mOhms 11A +/-30%
Produkt ist nicht verfügbar
FDV0618-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 10mOhms 9.8A +/-20%
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FDV0620-1R0M=P3
auf Bestellung 20640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0620-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 18mOhms 7.7A +/-20%
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FDV0620-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 26mOhms 6A +/-20%
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FDV0620-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
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FDV0620-H-2R2M=P3TOKO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0620-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 37mOhms 5.1A +/-20%
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FDV0620-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 51mOhms 4.2A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDV0620-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 68mOhms 3.5A +/-20%
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FDV0620-H-R20M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.2uH 4.5mOhms 16.2A +/-20%
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FDV0620-H-R20M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
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FDV0620-H-R47M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.47uH 8.3mOhms 11A +/-20%
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDV0620-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 10mOhms 10A +/-20%
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FDV0630-2R2M=P3TOKO
auf Bestellung 15041 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-3R3M=P3
auf Bestellung 26750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-4R3M=P3
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-4R7M=P3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-6R8M=P3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-K4R7M=P3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-R20M=P3
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV0630-R47M=P3
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV10-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.950" (24.13mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.85 EUR
25+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDV1040-1R5M=P3
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV1040-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 4.4mOhms 15.7A +/-20%
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FDV1040-2R2M=P3TOKO10*11.2*4.0 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV1040-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 7.7mOhms 13.1A +/-20%
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDV1040-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 11.5mOhm 11.2A +/-20%
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FDV1040-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 14.3mOhms 9.6A +/-20%
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FDV14-187L3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG F Bag
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+104.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDV14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BA
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.25 EUR
10+ 27.72 EUR
30+ 26.65 EUR
100+ 24.15 EUR
250+ 22.02 EUR
500+ 20.59 EUR
1000+ 18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDV14-187Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.92 EUR
16+ 1.69 EUR
25+ 1.54 EUR
50+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDV14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.25 EUR
10+ 27.72 EUR
30+ 26.65 EUR
100+ 24.15 EUR
250+ 22.02 EUR
500+ 20.59 EUR
1000+ 18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDV14-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.77 EUR
25+ 1.42 EUR
100+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDV16-8403--AKyocera AVX ComponentsCap Film 0.04 uF, 10%
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16L0206KKyocera AVX ComponentsCap Film 20uF 1000V PP 10% (28 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16L0206K--KYOCERA AVXFilm Capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16L0406K--AVXCap Film 40uF 1000V PP 10% (37 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16L0606KKyocera AVX ComponentsCap Film 60uF 1000V PP 10% (44 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16L0806KKyocera AVX ComponentsCap Film 80uF 1000V PP 10% (50 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16Q0206K--Kyocera AVXFilm Capacitors 1400V 20uF 10% Radial
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+287.92 EUR
10+ 273.05 EUR
FDV16Q0206K--Kyocera AVX ComponentsCap Film 20uF 1400V PP 10% (35 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16Q0306K--KYOCERA AVXFilm Capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16Q0306K--Kyocera AVX ComponentsCap Film 30uF 1400V PP 10% (41 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16S0256KKyocera AVX ComponentsCap Film 25uF 1700V PP 10% (44 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16S0356KKyocera AVX ComponentsCap Film 35uF 1700V PP 10% (51 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV16S0505KKyocera AVX ComponentsCap Film 5uF 1700V PP 10% (24 X 62mm) Axial 85C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDV18-187Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.92 EUR
16+ 1.69 EUR
25+ 1.54 EUR
50+ 1.45 EUR
100+ 1.39 EUR
250+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDV18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.25 EUR
10+ 27.72 EUR
30+ 26.65 EUR
100+ 24.15 EUR
250+ 22.02 EUR
500+ 20.59 EUR
1000+ 18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDV18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
Produkt ist nicht verfügbar
FDV18-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.92 EUR
16+ 1.69 EUR
25+ 1.54 EUR
50+ 1.45 EUR
100+ 1.39 EUR
250+ 1.27 EUR
500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDV301FAIRCHILD07+ SOT-23
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV301N
Produktcode: 115435		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.55 EUR
420+ 0.36 EUR
1018+ 0.14 EUR
1486+ 0.094 EUR
3000+ 0.072 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 284
FDV301NEVVODescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
36+0.73 EUR
53+ 0.49 EUR
109+ 0.24 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 19140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 110953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1090+0.14 EUR
1590+ 0.095 EUR
3000+ 0.072 EUR
9000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1090
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 547400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7052 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
881+0.081 EUR
1044+ 0.068 EUR
1139+ 0.063 EUR
1163+ 0.061 EUR
1205+ 0.059 EUR
3000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 881
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301NEVVODescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 160800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.078 EUR
9000+ 0.063 EUR
24000+ 0.056 EUR
45000+ 0.051 EUR
99000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 638625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV301N
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
FDV301Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
auf Bestellung 984539 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
68+0.77 EUR
97+ 0.54 EUR
153+ 0.34 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.13 EUR
10000+ 0.1 EUR
15000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
881+0.081 EUR
1044+ 0.068 EUR
1139+ 0.063 EUR
1163+ 0.061 EUR
1205+ 0.059 EUR
3000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 881
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 110953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 548891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
49+ 0.54 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
FDV301NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.48 EUR
449+ 0.34 EUR
641+ 0.23 EUR
1087+ 0.13 EUR
1194+ 0.11 EUR
1249+ 0.1 EUR
1707+ 0.072 EUR
3000+ 0.067 EUR
6000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 323
FDV301NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.064 EUR
112+ 0.056 EUR
121+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 105
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N-NB9V005ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N-NB9V008ON SemiconductorDigital FET , N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT-23 0812+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N-NLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301NCT
Produktcode: 121839		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301NSOT23-301FAIRCHLD
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N_NB9V005Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N_NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV301N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302Ponsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PFairchildP-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 500
FDV302P
Produktcode: 105837		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302POn Semiconductor/FairchildSOT23-3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302P-NB8V001ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302P-NB8V001onsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302P-NL
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FDV302P_D87Zonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
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FDV302P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV302P_NB8V001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
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FDV302P_NLonsemi / FairchildMOSFET 25V P-CH. FET, 10 O, SOT23
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FDV302P_Qonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
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FDV303Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
auf Bestellung 1172 Stücke:
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54+0.97 EUR
77+ 0.68 EUR
186+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
FDV303NVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 53582 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.57 EUR
394+ 0.38 EUR
1198+ 0.12 EUR
1802+ 0.077 EUR
3000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 274
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.67 EUR
331+ 0.46 EUR
787+ 0.18 EUR
1080+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 233
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 228958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV303NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
168+0.43 EUR
228+ 0.31 EUR
407+ 0.18 EUR
544+ 0.13 EUR
794+ 0.09 EUR
834+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 168
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.43 EUR
228+ 0.31 EUR
407+ 0.18 EUR
544+ 0.13 EUR
794+ 0.09 EUR
834+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 168
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
12000+ 0.11 EUR
24000+ 0.098 EUR
36000+ 0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 53583 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1159+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1159
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV303N
Produktcode: 46231		FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD
auf Bestellung 349 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 228958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV303N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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FDV303N-NL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV303N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 25V 0.68A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.098 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDV303N/303FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV303N_NB9U008onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV303N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304N
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV304PON-SemicoductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1743000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
45000+ 0.09 EUR
99000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.56 EUR
472+ 0.32 EUR
721+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 278
FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
220+ 0.33 EUR
285+ 0.25 EUR
439+ 0.16 EUR
550+ 0.13 EUR
582+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1902000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV304Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch Digital
auf Bestellung 272831 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.28 EUR
2500+ 0.25 EUR
10000+ 0.22 EUR
30000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 47
FDV304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.56 EUR
472+ 0.32 EUR
721+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 278
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
18000+ 0.073 EUR
36000+ 0.065 EUR
54000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 460 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В; Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В; Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+ 0.62 EUR
100+ 0.059 EUR
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304P
Produktcode: 150596		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV304PON-SemicoductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
auf Bestellung 21646 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
33+ 0.81 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
723+0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 723
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 273000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.11 EUR
45000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
220+ 0.33 EUR
285+ 0.25 EUR
439+ 0.16 EUR
550+ 0.13 EUR
582+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1743000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
45000+ 0.09 EUR
99000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 261000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.11 EUR
45000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV304P-CGB8onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Tj)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304P-CGB8onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Tj)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2459+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2459
FDV304P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304P-D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304P-F169onsemiDescription: P-CHANNEL DIGITAL FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV304P/304FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV304PNLFAIRCHILD
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV304P\304FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV304P_NB8U003onsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV304P_Qonsemi / FairchildMOSFET P-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV305NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
266+0.27 EUR
379+ 0.19 EUR
428+ 0.17 EUR
520+ 0.14 EUR
550+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 266
FDV305NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV305Nonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 107412 Stücke:
Lieferzeit 573-587 Tag (e)
45+1.16 EUR
63+ 0.83 EUR
140+ 0.37 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.25 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.35 EUR
532+ 0.28 EUR
658+ 0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.13 EUR
6000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 446
FDV305NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 8940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.27 EUR
379+ 0.19 EUR
428+ 0.17 EUR
520+ 0.14 EUR
550+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 266
FDV305NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
auf Bestellung 32229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1134+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1134
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV305N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV305N/305FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV305N_Qonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDV30N
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV336PFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 29800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV336PFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV338P
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV340P
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDV360P
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDVE0630-H-100M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-100MP3
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE0630-H-1R0M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 1.0uH 20% 9.5A RDC=0.0085ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0630-H-1R5M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 1.5uH 20% 8.1A RDC=0.0121ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0630-H-2R2M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6.6A 0.0162Ohm DCR 2926 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0630-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 2.2uH 20% 6.9A RDC=0.0162ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0630-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 3.3uH 20% 5.3A RDC=0.0254ohms
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE0630-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 4.7uH 20% 4.6A RDC=0.0361ohms
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE0630-H-6R8M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 6.8uH 20% 3.4A RDC=0.0542ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE0630-H-R16M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.16uH 20% 19.4A RDC=0.0016ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0630-H-R33M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.33uH 20% 15.9A RDC=0.0027ohms
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE0630-H-R47M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.47uH 20% 15.6A RDC=0.0037ohms
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE0630-H-R68M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.68uH 20% 10.4A RDC=0.0060ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0630-H-R75M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.75uH 20% 10.9A RDC=0.0062ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-1R5M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 10.3mOhms 8A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 16.3mOhms 7.6A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 19.2mOhms 6A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE0640-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 29.2mOhms 4.6A +/-20%
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-100M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE1040-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE1040-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 11.6A 0.0068Ohm DCR 4440 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE1040-H-2R7M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-2R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.7uH 20% 100KHz Metal 10.5A 0.0088Ohm DCR 4440 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-2R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 10.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.8A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 9 A
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 10.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.8A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 9 A
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FDVE1040-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
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FDVE1040-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
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FDVE1040-H-4R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 8A 0.0138Ohm DCR 4440 T/R
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FDVE1040-H-5R6M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
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FDVE1040-H-6R8M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz Metal 7.1A 0.0202Ohm DCR 4440 T/R
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FDVE1040-H-6R8M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
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FDVE1040-H-6R8M=P3MURATACategory: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 6.8uH; 7.1A; 0.0202Ω; ±20%; 11.2x10x4mm
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Body dimensions: 11.2x10x4mm
Operating current: 7.1A
Inductance: 6.8µH
Type of inductor: wire
Resistance: 0.0202Ω
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FDVE1040-H-6R8M=P3MURATACategory: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 6.8uH; 7.1A; 0.0202Ω; ±20%; 11.2x10x4mm
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Body dimensions: 11.2x10x4mm
Operating current: 7.1A
Inductance: 6.8µH
Type of inductor: wire
Resistance: 0.0202Ω
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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FDVE1040-H-6R8M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
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