Produkte > FQT

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
FQT-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT-1BKEssentraTest Probes VOLT. PROBE SET GRN-BLK 4MM 150 MHZ 100:1 2000V-1000V CAT III TO EARTH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT-1BKEssentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06onsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 140MOHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 110MOHM L SO223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFonsemi / FairchildMOSFET 60V Single
auf Bestellung 9191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFFairchild
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTFFSCSOT252
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06LTF (Transistor)
Produktcode: 48416
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT13N06TFonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
auf Bestellung 42903 Stücke:
Lieferzeit 112-116 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+1.22 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60Consemionsemi QFC 600V 11.5OHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1069
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
auf Bestellung 17783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
18+1.01 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80onsemionsemi QF 800V 20.0OHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
auf Bestellung 818181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
14+1.28 EUR
100+0.9 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
auf Bestellung 113753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSONSEMIFQT1N80TF-WS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
auf Bestellung 816000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.59 EUR
8000+0.57 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TFON Semiconductor
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TFONSEMIFQT2P25TF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT2P25TFON Semiconductor / FairchildMOSFET -250V Single
auf Bestellung 5916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TF
Produktcode: 164122
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
auf Bestellung 16136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
15+1.24 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TFonsemi / FairchildMOSFETs -200V Single
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+1.2 EUR
100+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.53 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TFONSEMIFQT3P20TF SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT3P20TF_SB82100Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 1.75OHM L SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
87+0.83 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.62 EUR
234+0.59 EUR
287+0.46 EUR
290+0.44 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
87+0.83 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
auf Bestellung 4016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
18+1.03 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.71 EUR
232+0.59 EUR
234+0.57 EUR
287+0.44 EUR
290+0.42 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFonsemi / FairchildMOSFETs 200V Single
auf Bestellung 28217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+1.06 EUR
100+0.74 EUR
250+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.68 EUR
244+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.33 EUR
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20LTF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT4N20LTF TFQT4n20ltf
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 952
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT4N20TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20TFFAIRCHILDFQT4N20TF
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1164+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25onsemi / FairchildMOSFET QF 250V 1.75OHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+0.92 EUR
179+0.77 EUR
199+0.67 EUR
242+0.53 EUR
250+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
19+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT4N25TFonsemi / FairchildMOSFET 250V Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10onsemi / FairchildMOSFETs QF -100V 1.05OHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFonsemi / FairchildMOSFETs -100V Single
auf Bestellung 64904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.28 EUR
10+1.08 EUR
25+0.96 EUR
100+0.69 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+0.4 EUR
12000+0.39 EUR
28000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF
Produktcode: 169563
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
15+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VBVBsemiTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N1
Produktcode: 105996
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 35MOHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10
Produktcode: 147595
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LFAIRCHIL09+ SOP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 12148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
100+0.72 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFON-SemicoductorN-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTF
Produktcode: 106433
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.38 EUR
12000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFON-SemicoductorN-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFonsemi / FairchildMOSFETs 100V Single
auf Bestellung 30918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+0.91 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
100+0.72 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
18+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
auf Bestellung 27261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.43 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT7N10TFFSC09+ dip
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQTN35144-MCF-10Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 100mm cable and MCF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQTN35144-MCF-40Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 400mm cable and MCF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQTN35144-MR-10Embedded Antenna DesignPENTA BAND PCB ANTENNA 100MM CABLE AND MMCX RA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQTN35144-UF-10Embedded Antenna DesignAntenna Penta-Band 2dB Gain 850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz/2100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQTN35144-UF-15Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 200mm cable and U.FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQTNX08Panduit CorpDescription: COPPER CABLE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH